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[参考译文] BQ77915:保护故障

Guru**** 2539500 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ77915, BQ76952EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1110157/bq77915-protection-fault

器件型号:BQ77915
主题中讨论的其他器件: BQ76952EVM

尊敬的 TI 团队:

我最近在定制 PCB 板上订购并收到了 BQ77915芯片、它们采用堆叠配置。 芯片版本为 BQ7791502。

当我开始测试时、我将电源连接到+和-位置以及电阻器阵列、以模拟散射单元。 当上电并以22V 电压运行直流电机时、电机的运行与预期的一样、尽管当将电源压升至 OV treshold (25.2V)时、电机即使在上升电压超过 OV 时也会暂停。 UV (17.4V)也是如此。

我会将甲基胺作为 PDF 附在这篇帖子上。如果我可以提供任何其他材料来帮助我发现问题、请告诉我。  

此致、

e2e.ti.com/.../Schematic-of-BMS-V2-v145.pdf

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    尊敬的 Patryk:

    原理图对我来说是可以的。 当发生 OV 和 UV 时、您是否能够测量底部器件上的 CHG 和 DSG 引脚?  

    此致、

    Matt

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    您好、Matt、  

    感谢您的回答、

    我只能为您提供这些引脚的万用表读数、结果如下所示:

    • 过压 DSG (25.6V 时)= 11.28V  
    • 过压 CHG (25.8V 时)=.462V
    • 欠压 DSG  (17V 时)= 10.34V
    • 欠压 CHG  (17V 时)= 7.39V
    • 正常电压 DSG (22V 时) = 10.29V
    • 正常电压 CHG (22V 时) = 10.29V

    附件也是一个包含上述图像的 rar 文件。

    e2e.ti.com/.../BMS-Troubleshoot.rar

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    尊敬的 Patryk:

    因此、当存在 OV 条件时、CHG FET 看起来应该被禁用。 CHG 电压很低、这很好。 您能否验证 FET 是否已禁用? 这应防止进一步充电。

    Matt

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    您好、Matt、

    如何使用电阻器阵列设置安全地仿真充电场景?  

    Patryk。

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    EVM 用户指南的第3.1节简要介绍了这一点: https://www.ti.com/lit/ug/sluubu2b/sluubu2b.pdf

    BQ76952EVM 用户指南 https://www.ti.com/lit/ug/sluuc33a/sluuc33a.pdf 的图4-3中显示了另一个更容易的选项 

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    您好、Matt、

    我发现 BMS 最初未对 UV 和 OT 做出反应的原因之一。 在最初测试 BMS 时、我没有注意到我用于测试的电机已达到了 MOSFET 的最大额定值。 当我使用另一个 PCB 在没有如此高峰值的扩散电机上进行测试时、BMS 的工作原理与设计类似、在17.4V 和 OT 时对 UV 做出反应。

    还感谢您提供的有用链接、这些链接可用于测试使用电源进行充电的情况。