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[参考译文] LM74502-Q1：如何改善截止工作模式

admin
Guru**** 1791630 points
Other Parts Discussed in Thread: LM74502EVM, LM74502H
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1104489/lm74502-q1-how-to-improve-cutoff-operating-mode

器件型号：LM74502-Q1
主题中讨论的其他器件：LM74502EVM、 LM74502H

尊敬的所有人：  

本主题如下： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1083210/lm74502-clamping-the-voltage-for-long-durations-1h---48vin-to-38vout/4010152#4010152 

由于采用背靠背 MOSFET 设计的 EVM LM74502EVM、我测试了 LM74502Q1截止工作模式。

当 Vin = 38V 时、 输出端会出现纹波、Vout max = 37V  

当增加 Vin (至约42V)时、功率将由第一个 MOSFET (Q3)的开关损耗消耗。 (当增加太多时、Mos 温度会高于建议的工作范围、并且 Mos 会损坏)

是否有任何方法可以改进此工作模式？ 使用 LM74502H 版本是否有帮助？ 如果是、这将对您有多大帮助？ (如果可能、量化使用 LM74502H 版本与使用 LM74502Q1版本相比、Vin 的最大值)

此致、  

P-A Burdet、AFAE

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    TI__Guru**** 1791630 points
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    尊敬的 Paul：

    您能不能共享 FET 的器件型号、以便我可以检查 SOA。

    此致

    Divyyshu

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    TI__Guru**** 1791630 points
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    您好、Divyyshu、  

    FET 的器件型号与 EVM 上的器件型号相同、因此它是 SIJ186DP-T1-GE3。  

    此致、  

    P-A Burdet、AFAE

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    TI__Guru**** 1791630 points
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    尊敬的 Paul：
    您能否帮助提供输出端使用的负载电流曲线？ 此外、如果对 EVM 设置进行了任何其他更改、请告知我们。 此外、如果可能、请分享捕获的波形、以便我可以检查确切的纹波、具体纹波可能会因电阻误差和器件变化而稍有不同

    此致

    Divyyshu

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    TI__Guru**** 1791630 points
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    您好、使用的负载是有源负载、Chroma 63103直流电子负载器件(6A/60A - 16V/80V - 300W)

    然后、负载在瞬态电流模式(高电平)下设置、输出电流为2安培。  

    未对 EVM 设置进行任何更改

    请在下面找到捕获的波形：  

    使用  

    Voutmax ≈37、4V

    Voutmin≈31、4V

    如果您需要其他任何东西、请告诉我、  
    此致、  
    P-A Burdet、AFAE

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    TI__Guru**** 1791630 points
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    尊敬的 Paul：

    您能否确认电路板上是否填充了 R1和 C1？ 如果是、请尝试在移除这些组件的情况下测试 OV 钳位。 这些组件用于控制浪涌电流、但在我们的情况下、这些组件会增加导通时间、从而使功率流持续更多时间、从而增加超过 FET SOA 的可能性。 正如您提到的、使用 H 型号也应该有所帮助、因为导通时间会进一步缩短。

    谢谢、致以诚挚的问候

    Divyyshu

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    TI__Guru**** 1791630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Divyyshu、  

    感谢您的输入、R1和 C1确实组装在电路板上。
    如果我需要更多信息、我将关闭此主题并返回。  

    再次感谢您的帮助！  
    此致、  

    P-A Burdet、AFAE