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[参考译文] bq24600：原理图/设计审查

admin
Guru**** 2535750 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24600

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1100113/bq24600-schematic-design-review

器件型号：bq24600

尊敬的 TI 团队：

我想问您是否可以查看我的 BQ24600设计、在放置组件和跟踪时、我遵循了数据表和一些示例作为我的指南、我不确定初级接地和模拟接地的分离情况。 请向我提供您的意见和建议。  

我使用了您在器件页面上附加的计算器来缩放相应的内容以符合规格。

规格：

  • 电池节数：6.
  • VBAT：4.3V
  • VBAT：25.8V

  • Ichg：2 A

  • 选择 NTC： ERT-J0EG103JAERT-J0EG103JA  

随附的是原理图和顶层轮廓的 PDF 以及顶层和底层的 PNG。

e2e.ti.com/.../3666.Top-Layer.pdfe2e.ti.com/.../Charger-Schematic.pdf

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    TI__Guru**** 2535750 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    我的原理图审阅如下：

    请将热插拔滤波器的 R11更改为2欧姆、如数据表的图12所示。

    充电调节电压为25.2V

    充电电流调节为1.99A

    3.请确认热敏电阻是否适用于您所需的温度范围。

    我的布局审核如下(根据布局指南)：

    输入电容靠近开关 FET。

    开关 FET 栅极驱动引脚靠近 FET。

    电感器端子非常靠近开关 FET。

    4.您可以将充电电流感应电阻器移至靠近电感器输出的位置。

    5、输出电容可以移到更靠近感应电阻的位置。

    7.从所提供的图像中，我很难看到它们是否正确分割。

    8.散热焊盘正确焊接到 GND。

    9. VCC、VREF 和 REGN 的去耦电容器看起来不像任何一个尽可能靠近 IC 的电容器。 在走线到达电容器之前、不应从引脚汲取电流。 换言之、电流应从引脚流向电容器、然后流向需要流向的任何位置。

    此致、

    Mike Emanuel

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    TI__Guru**** 2535750 points
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    您好、Michael、

    感谢您对我的设计的评论。 我将跟进您向我提供的建议、并更正去耦电容器位置。 我还将尝试为您提供 PDF 格式的更好的逐层图像、以便质量不会下降。  

    还有一个问题、您提到充电调节为25.2V、您能说我在哪里放松了0.5V 吗？

    此致、

    Patryk Szczesny。

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    TI__Guru**** 2535750 points
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    尊敬的 Patryk：

    来自 VFB 引脚的充电调节电压的公式为2.1*(1+RtoP/Rbot)或2.1*(1+1.1/0.1)= 25.2V。如果您需要不同的调节电压、请调整您的电阻分压器。

    此致、

    Mike Emanuel

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    TI__Guru**** 2535750 points
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    尊敬的 Mike：

    很抱歉耽误你的回答。 Rbot 用97.6K 欧姆的电阻进行了更正、使其尽可能接近稳压电压。 我还更换了您建议 用于热插拔滤波的电阻器。

    至于接地、请参阅下面随附的 JPEG。 第2层(青色)主要是主接地、其中有一小部分模拟接地连接来自顶层的模拟信号过孔。 第3层(紫色)有一些来自该层上侧的模拟信号、其中该信号被初级接地包围、但由铜中的空间与之隔离。 在第3层上、模拟接地也连接到 IC 的底部。

    现在、去芯电容器也像您所喜欢的那样被移到更靠近 IC 的位置。

    此致、

    Patryk Szczesny。

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    TI__Guru**** 2535750 points
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    尊敬的 Patryk：

    为了帮助我进行审核、您是否可以发送光绘文件供我查看？

    此致、

    Mike Emanuel

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    TI__Guru**** 2535750 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    当然、这是一个随附光绘文件的 ZIP 文件。  

    e2e.ti.com/.../BQ24600-Gerber-Files.zip

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    TI__Guru**** 2535750 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    我的布局审核遵循以下布局指南：

    2.我认为可以将 HIDRV 栅极信号路由到 FET 上的引脚较短的距离。

    7.只要在散热焊盘上连接了单独的接地端、那就应该是好的。

    9. VCC 电容器的放置位置要比 R12更远离 VCC 引脚。 VREF 电容器 C8完全不靠近 VREF 引脚。  请确保 这些去耦电容器是与其引脚最接近的元件、并且 尽可能靠近其引脚。

    此致、

    Mike Emanuel

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    TI__Guru**** 2535750 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    很抱歉、我们的回复很晚、感谢您的见解、我很喜欢。

    此致、

    Patryk。