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器件型号：LMG3410R050 您好！
当我使用 TI LMG3410R050 GaN 时、有一些问题、希望您能回答。
我想 确认 IC、因此我使用双脉冲测试来测量它。 为了避免损坏第三象限中的上部器件、因此我使用 SiC 二极管。
然后、我为欠器件提供两个脉冲信号。 I 测试条件
应观察400V 时的 GaN 瞬态行为。 当输入电压小于200V 时、波形 正常。
我要问的问题如下：
GaN 导通时、输入 会下降(Vin 越大、下降越明显)。 但当 Vin 为0时、输入信号正常。
当输入电压为210V 时、欠压器件(GaN) VDS 在开启期间关闭。
我测量所有可能导致故障的信号。
当故障信号激活时、有关 UVLO 的信号不会异常。
