[参考译文] UCC28633：EMI 滤波器和 π 型滤波器

您好、Rishav、

感谢您查询 UCC28633。

除了      WEBENCH 设计器的规格外、我建议从以下参考设计开始使用 UCC28630EVM-572、PMP30092和 PMP9643。  

上述基准可作为 EMI 滤波器组件选择的良好起点。 请查找以下参考文献" 低功耗交流/直流电源的实际 EMI 注意事项"(第8-15页)和应用报告 AN-2162

请参阅我之前提到的实际 EMI 注意事项图14。 从这里、我们可以看到 L1和 CX 构成您的差分模式滤波器、其余元件构成所需的大容量电容。 因此、可以将 DM 滤波器放置在二极管整流器之前或之后、如原理图所示。  使用原理图中所示的 π 型滤波器、电感器中的电流主要是直流电流、峰值电流和 rms 电流要比电桥之前的电流低得多。  另一个优势是、我们可以在电感低得多的情况下获得所需的衰减、从而达到通过 EMI 所需的水平。 因此、凭借较低的额定电流和较低的电感、 我们可以提高效率和/或减小电感器的物理尺寸。不足之处是、现在您需要两个铝电容器、而不是一个、但我们建议将其保持在原理图中所示的配置中。

2.是的、可以使用 TVS 二极管。 您可以使用的部分器件型号为 SMBJ200A/170A  等

3.是的、请参阅 EVM 用户指南图1、其中二极管两端有一个 RC 缓冲器、用于在关断期间减少振铃。

在 MOSFET 上、由于我们有 TVS 钳位、因此不需要它。

如有任何澄清、请告知我们。

谢谢你

此致、

Harish

您好、Rishav、

感谢您的查询。  

我使用设计计算器的大容量电容公式进行了检查、大约21至24uF 就足够了。 因此、您对上述值的组合应该是可以的。 我将检查组合、并在周一前回复。

谢谢你

Harish

您好、Rishav、

只要我们获得标准电容器来满足要求、电容器组合就应该很好。

此外、在您之前询问的 MOSFET 缓冲器上、最好具有适用于 R-C 的占位符、如缓存链路 反激式辅助绕组 OVP 和 UVLO 故障传感设计和故障排除提示中的图-1

谢谢你

此致、

Harish