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[参考译文] LM74502-Q1：如何在 G-S 之间添加10k 电阻器？

admin
Guru**** 657500 points
Other Parts Discussed in Thread: LM74502-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1105107/lm74502-q1-shoule-we-add-a-10k-resistor-between-g-s

器件型号：LM74502-Q1

您好！

   对于  LM74502-Q1、 栅极-源极之间是否存在内部下拉电阻以避免 FET 误导通？我无法从数据表中找到有关此问题的任何信息

   我们在 MOS 的 G-S 之间添加了一个10k 电阻器？

  • 0
    TI__Guru**** 657500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Zhang、

     我们不应在 MOS 的 G-S 之间添加10k 电阻器、因为栅极的源极电流受限会导致导通失败。 内部栅极驱动器具有下拉电阻、可避免误导通。

    此致、

    Rakesh