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器件型号：LM5060-Q1 主题中讨论的其他器件：BQ76942、 LM5060
您好！
我在寻找一种使用极高电容(高达5mF)切换负载的解决方案时遇到问题。 我尝试添加额外的栅极电容来减缓 FET 的导通。 但是、由于导通率低于 FET 的 SOA、此解决方案无法正常工作。 在没有栅极电容的情况下尝试会触发上游短路保护(基于 BQ76942的 BMS)。
我使用 sir680dp-t1-re3作为输入电源为36-42V 的 FET 开关、我的初始尝试 使用10ms 的导通时间、导致21A 的电流在启动过程中流过 FET、从而使其受损。
一些计算表明、在保持所用 FET 的 SOA 的同时、很难对输出电容充电。
我有几个想法、在打开主 FET 之前、使用带有小电阻器(~40欧姆)的单独开关来限制电流、直到输出电压上升到某个增量减去电源电压、并具有超时保护电阻器。 但是、我不确定在电阻器因功率耗散浪涌而受损之前、它将会工作多少次。
另一种选择是在恒定电流模式下在异步降压拓扑中使用单独的开关、直到输出电压达到上面指定的差值。 但这似乎有点过度设计。
我想知道是否还有其他方法可以使用。
谢谢、
Keshav
