主题中讨论的其他器件:UCC21732、 UCC21750
这以栅极驱动器控制器 IC UCC21732为基准 。
在短路或过流保护的情况下、IC 采用了一种现代方法、其中提供了可配置为检测不利 SC 情况的 OC 引脚。 但是,由于 MOSFET 中没有 SenseFET 配置,此功能无法与选定的 SiC MOSFET 配合使用。 剩下的其他选项是 DESAT 和分流电阻器方法。
对于分流电阻器、存在高功率损耗、低噪声容差、寄生电感和非电隔离等明显限制。 因此、在这种限制条件下、唯一可用的选项是 DESAT 保护。 但是、对于所选的控制器 IC (UCC21732)、配置不是直接的、因为为 CBLK 充电的电流源不是来自 IC、因此必须配置外部源。
下图简要介绍了 DESAT 配置。 如果您能够提供有关各种电阻器计算的见解、那将会很好、因为栅极驱动器和过流保护的使用对于我们的应用至关重要。
另一方面、所选控制器系列具有其他具有专用 DESAT 配置的 IC (UCC21750)。 但是、将在2级关断和软关断功能之间进行权衡。
因此、应选择哪个器件型号来提供 DESAT 保护、因为另一个器件具有2级关断功能。
此外 、还会对 UCC21750的正常 DESAT 配置执行计算。 但是、跳闸的内部基准电压为9V、短路时的 VDS 为1.5V。因此、电压阈值只能通过取较高的 RDESAT 值来设置、并且至少4个二极管串联。 这是可行的方法吗? 此外、消隐时间为1.8us。 这种 tBLK 是否更多地用于 SiC 保护?
请提供有关上述各点的见解。