大家好、我的设计如下所示。
LM5141QRGERQ1 设计：
开关电源：24V 输入
电池电源：14V-16.8V
输出电压12V，输出电流需要 10A、
功率电感器： 空气磁芯电感器3.3uH
FSW=2.2MHz
DEMB-VCC、FPWM 模式
我想知道我的设计是否可以在上面的设计中提供12V/10A 输出。
现在、当 R19B 为12mΩ，Ω 时、我可以获得12V/3.5A 输出、而当 R19B 为0Ω Ω 时、输出电流可以达到5A。
我的问题是、如果我想获得稳定的12V/10A、我该怎么做？
我很高兴得到一个好的答案。谢谢。
您好、Tim、
问题1：
如下面所示、突出显示的导线是感应 电阻器 R19B-pin1和 R19B-PIN2之间的信号。L2B 是电感器。问题是信号线在电感器下方穿过。黄色的波形是 Q1B 的 G 到 GND_MB、 蓝色的波形是 Q2B 的 G 到 GND_MB。显然、波形是 Q2B 不是很好。我的问题是"如果信号线在电感器的下方穿过、是产生不良波形的主要原因？" '如果 信号线在电感器处经过低于、则是输出电流不能超过5A 的主要原因？'
问题2：
我不确定我选择的 MOSFET CSD17308Q3是否合适、Qg 是否为3.9nC。当我将 FSW 设置为2.2MHz 时、较小的 Qg 会更好、对吧？
当高侧 MOS 和低侧 MOS ，CSD17308Q3 (Qg=3.9nC)时、输出电流可达3A。
当高侧 MOS 使用 CSD17308Q3 (Qg=3.9nC)和低侧 MOS 使用 SQ7414AEN-T1-GE3 (Qg=16nC、LM5141 EVM 使用该 MOS)，时、输出电流可以达到5A 或更高。
我想知道产生不同输出电流的根本原因是什么？
问题3：
当电路在大℃下工作时、例如输出电流为5A 时、MOS 的温度预发布将达到70 μ s 或更高、这是正常现象吗？如果我使用较大尺寸的 MOS - SON 5x6mm、效果会更好。
问题4：
如果我想获得大约10A 的大电流、同时考虑热设计问题、那么下面哪个 MOS 是电表？
1) CSD17308Q3—VSON 3.3mmX3.3mm，
2) SQ7414AEN-T1-GE3—VSON 3.3mmX3.3mm，用于 LM5141 EVM
3) CSD18532Q5B—SON 5x6mm
4) CSD18534Q5A—SON 5x6mm
5)NVMFS6B14NLT1G—SO-8F、用于 LM5146 EVM
6) NVMFS6B25NLT1G—SO-8F、 用于 LM5146 EVM
再次感谢你。
最好的农家
Baron。
