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器件型号：BQ24800 (1)。 关于 UVLO、电气特性上升的典型值为2.6V。 (2.4V-2.8V)
但方框图说明为3.2V。
哪一项是正确的？ (精度更高？)
(2)。 关于 VSLEEP、电气特性上升的典型值为400mV。 (280mV-520mV)
但方框图说明似乎为200mV。
哪一项是正确的？ (精度更高？) 或者方框图在这方面是否不正确？
(我通知您方框图已比较 SRN 和 ACN、但电气特性 已比较 VCC 和 SRN。)
(3)。 为什么在"VACN < VSRN +200mV"条件下 BATFET 不是"VCC < VSRN +200mV"？
还是 VCC < VSRN +200mV 正确？ (ACOK 相关条件说明为 VCC、但 BATFET 相关条件说明为 ACN。 这是否出于目的？)
此外、该200mV 与表(2)的 Vsleep 相同？ (睡眠下降转速典型值为25mV？)或其他固定值为200mV？
此致、
