您好!
我想向您询问 CSD19536KTT 的 SOA。
随附的图显示了 FET 导通时的波形。
该波形中显示的行为对于 SOA 是否可接受?
此外、请提供 SOA 的温度降额信息、因为它将在 TA=85°C 时使用。图像如下所示。
此致、
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
我想向您询问 CSD19536KTT 的 SOA。
随附的图显示了 FET 导通时的波形。
该波形中显示的行为对于 SOA 是否可接受?
此外、请提供 SOA 的温度降额信息、因为它将在 TA=85°C 时使用。图像如下所示。
此致、
Kajii San、
感谢您关注我们的 MOSFET 产品。
当我们的专家于美国周三返回办公室时,将返回您的办公室,回答您对您提供的波形表的问题。
关于温度对 SOA 的影响、我们在下面的链接中编写了一篇文章、介绍了温度对 SOA 的影响。
谢谢
Chris
Kajii San、您好!
再次感谢您的查询。 TI 使用单个矩形脉冲对 SOA 进行故障测试。 然后会降低故障电流、并用于在 MOSFET 数据表中创建 SOA 图。 在您共享的波形中、当 FET 首次开启时、会出现一些电流过冲。 我无法判断过冲的幅度或持续时间。 您可能需要放大以观察波形的该部分的详细信息。 当 ID 为恒定且 VDS 具有指数衰减时、FET 中具有高功率。 使用数据表中的 SOA 图、如果我假设电压为矩形24V、28ms 脉冲、我估计 SOA 电流大约为7.7A (波形中的实际电流为~7A)。 同样、对于持续时间为53ms 的第二个波形、我估计 SOA 电流大约为5.6A (实际电流为~4A)。 显然、与整个脉宽的连续漏源电压相比、VDS 的指数衰减中的能量更少。 作为第一个近似值、如果我假设发生线性衰减、这会将能量降低50%。 指数衰减应更低。 基于此、我相信 FET 在数据表中的 SOA 限制范围内运行。 对于高温、我通常使用线性降额、如下面链接中 e2e 线程所示。
此致、
John Wallace
TI FET 应用