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[参考译文] TPS4811-Q1:源自 TPS48110-Q1

Guru**** 1123240 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1127757/tps4811-q1-tps48110-q1-derived

器件型号:TPS4811-Q1

你(们)好

我们有两个问题:

  1. 如何推导出此公式? 数据表第12页

  1. 对于浪涌电流:客户使用400uF 负载、得到两个具有较大误差的差值。一个是通过公式2计算的、另一个是通过测试计算的。 导致此误差的原因?  

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    尊敬的 Meng:

    1A)该公式基于内部电路设计。 您的电路结果是否与方程式不匹配?

    2a)请分享您的设计和实际测试结果的计算值。 您观察到多少%的误差?

    此致、

    Rakesh

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    1):我只想知道如何获得11.9。我们的设计是匹配的。

    2):根据我们的理解、R1C1可以减小浪涌电流、因为其钳位增加、因此在客户测试中 、其在测试接通时间获得 MOS Qg。然后、Rush 得到、但该值与数据表浪涌电流等式有30%的误差。  

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    尊敬的 Meng:

    1A) 11.9系数来自内部电流感应放大器

    2a)您能否分享客户设计中使用的 R1C1值、MOSFET 器件型号和 400uF 负载下的浪涌电流曲线。

    浪涌电流曲线/值是否与数据表中的 R1C1计算结果不匹配?

    此致

    Rakesh