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[参考译文] BQ25910EVM-854：BQ25910EVM-854效率测试结果比数据表低约1%

admin
Guru**** 2393495 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25898, BQ25910, BQ25898D

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1126986/bq25910evm-854-bq25910evm-854-the-efficiency-test-result-is-about-1-lower-than-datasheet

器件型号：BQ25910EVM-854
主题中讨论的其他器件：BQ25898、 BQ25910、 BQ25898D

你(们)好

在客户使用 BQ25910EVM 进行测试时、效率测试结果比数据表低约1%。 例如、在峰值效率(VBUS = 5V、VBAT = 3.8V、充电电流1.1A)下、测得的效率为94.5%。

寄存器设置如下：

I2C 地址

寄存器地址

写入命令

说明

6A

00

C8

主 HIZ 使能

6A

07

8D

主机 WD 禁用

4B

05

DD

25910 WD 复位

4B

05

8D

25910 WD 禁用

4B

06

3b.

25910 CHG 使能

测试点如下：

输入电压：GND_s 和 VUS2_S

输入电流：R19 (数据表中提到的 R21未焊接在电路板上、绕过 RON_qblk)

输出电压：Vout_ 910_ S (数据表中的 BAT_S 不合理、BAT_S 与 bq25898相连)和 GND_ S

输出电流：R20

℃温度：25 ~ 30 ̊ C。 bq25910的 SW 和飞跨电容波形是正常的。

VBUS=5V，VBAT=3.8V。VBUS 和 VBAT 会根据 充电电流的变化进行轻微调整。

其他哪些因素会影响测试效率？

正在等待您的回复。

谢谢

星号

  • 0
    TI__Guru**** 2393495 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Star：

    VBAT 和 VBUS 是否恰好在相应的测试点上测量？

    此致、

    Mike Emanuel

  • 0
    TI__Guru**** 2393495 points
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    大家好、Mike Emanuel

    感谢您的回复。

    测试点如下：

    输入电压：GND_s 和 VUS2_S

    输入电流：R19 (数据表中提到的 R21未焊接在电路板上、绕过 RON_qblk)

    输出电压：Vout_ 910_ S (数据表中的 BAT_s 显然不合理、BATT_s 与 bq25898相连)和 GND_ s

    输出电流：R20

    是否正确选择了这些测试点？

    谢谢

    星号

  • 0
    TI__Guru**** 2393495 points
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    尊敬的 Star：

    这些是正确的测试点。  BQ25898是否处于 HiZ 模式？   R19和 R20具有一定的可变性、但我不希望将效率调整1%。   该数据表具有 DFE252012F-R47M、其中 DCR 典型值为0.017 Ω、最大 值为0.023 Ω  用于数据表曲线的电感器的 DCR 可能低于 EVM 上的 DCR。  但这仅是1.1A^2*(0.023-0.017)欧姆=7毫瓦损耗。  我在实验室中有一个 EVM、今天稍后将使用 Keithley 源代码计进行快速测试。   

    此致、

    Jeff

  • 0
    TI__Guru**** 2393495 points
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    尊敬的 Star：

    我使用 Keithley 仪表和获得了95.2%的 EVM 效率。

    VBUS=5V、IBUS=0.854A、VBAT=3.8V、IBAT=1.07A。

    如果我仅禁用 BQ25898D 上的充电而不禁用 HiZ (或移除串联感应电阻器)、则效率为94.8%。

    此致、

    Jeff

  • 0
    TI__Guru**** 2393495 points
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    尊敬的 Jeff：

    我要问这个问题。

    我使用的仪表是 Keithley DAQ6510。 我还尝试使用另一个仪表、但得到相同的结果。 因此、我认为误差不是因为仪表。

    我在 我的 EVM 上测试了电感器电阻-它是16.67m Ω

    BQ25898D SW 在我测试效率时停止。 (这意味 着 BQ25898D 进入 HiZ 模式、对吧？)

  • 0
    TI__Guru**** 2393495 points
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    您好 Jizhi、

    除非 BQ25898D 处于高阻态或完全从电路中移除、否则它在 VBUS 和 BAT 引脚处具有明显的泄漏。  移除 R2和 R4后、您能否重新测试 EVM？  这将完全移除 BQ25898D。  此外、在使用 TP25和 TP26测量 VBUS 和 BAT 时、请确保接地端连接到同一接地测试点。   

    此致、

    Jeff

  • 0
    TI__Guru**** 2393495 points
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    尊敬的 Jeff：

    移除 R2和 R4后、测试结果相似、  

    VIN 101 输入电流102. VBATT 103 Ibatt 104. 效率
    4.9962. 6.983. 3.8. 8.65 94.21%
    5.004. 7.369. 3.8. 9.154. 94.33%
    5.0024. 7.768 3.8. 9.65 94.37%
    5.0015. 8.166. 3.8. 10.147. 94.41%
    5. 8.564. 3.7999 10.64 94.42%
    4.9992 8.964 3.7999 11.139. 94.45%
    4.9978 9.367. 3.8. 11.633 94.43%
    4.9965 9.775 3.8. 12.136. 94.42%
    4.995 10.179. 3.8. 12.632. 94.41%
    5.0052. 10.56. 3.7999 13.13. 94.40%

    这与预期的情况相同。 无论 BQ25898D 是否存在、我们都测试了 BQ25910电流和电压。 效率测试结果不应在拆下其他零件后改变、对吧？

    输入电压：GND_s 和 VUS2_S

    输出电压：Vout_ 910_ S 和 GND_ s

  • 0
    TI__Guru**** 2393495 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Jizhi、

    好的。 然后、我假设您的 EVM 具有具有具有更高 Rdson FET 的 IC。  存在如下变化：

    此致、

    Jeff