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[参考译文] TPS24720：TPS24720 -申请设计支持

admin
Guru**** 2337880 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS24720, TPS25985, CSD16401Q5
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1125490/tps24720-tps24720--request-for-design-support

器件型号：TPS24720
主题中讨论的其他器件： TPS25985、 CSD16401Q5

我计划在我的项目之一中使用 TPS24720热插拔控制器。
下面列出了我的设计要求

输入工作电压：VIN (NOM)：12V
UVLO 阈值上限：10.04V
OVLO 阈值下限：13.45
最大负载电流：Iout (MAX)：30A
目标电流限制:33A
故障响应：闭锁
请为我的应用推荐合适的 N 沟道 MOSFET？

我已附加 TPS24720热插拔设计工具计算。
请核实所有要点并提供您的反馈(如果有)

谢谢  
Sujith  

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    TI__Guru**** 2337880 points
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    您好、Sujith、

    欢迎使用 E2E  

    请考虑将 TPS25985电子保险丝用于您的应用。  

    如果您想继续使用  TPS24720、 请将设计计算器作为附件发送以供查看

    此致、

    Rakesh

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    TI__Guru**** 2337880 points
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    您好、Rakesh、

    感谢您的回复。 我已经了解 过 TPS25985。 我已针对我的要求进行了一些计算。根据设计工具计算、为支持 Imax A、建议并联的最小器件数为1 nos 。但仅提及"用户选择的器件数" (必须大于建议的最小  值)。所以我想确认我的设计要求是否与一个器  件匹配，或者我需要使用两个器件进行并行连接(可堆叠)吗？请重新检查计算并提供反馈。 我已附上 Excel 工作表。

    e2e.ti.com/.../iWave_5F00_TPS25985-Design-Calculation-Tool_2D00_11082022.xlsx

    此致、
    Sujith  

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    一 个 tps25985器件足以满足您的目标规格。

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    您好、Sujith、

    我们将查看设计计算器、下周初回来。

    此致、

    Rakesh

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    您好、Rakesh、

    您   能否尽快查看 TPS24720的设计计算器。在此 设计阶段、我只有很短的时间。 希望 您能尽早回复。

    e2e.ti.com/.../iWave-Systems_5F00_TPS24720_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_F.xlsx

    此致、
    Sujith M

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    您好 、Sujith、

    请参阅随附的修改后的设计计算器。 MOSFET RDSON 和 SOA 数据已修改。 我们是否可以知道在您的设计中不使用 TPS25985的原因？

    e2e.ti.com/.../iWave-Systems_5F00_TPS24720_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_F_5F005F00_Edited.xlsx

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    TI__Guru**** 2337880 points
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    您好、Rakesh、

    感谢您的回复。 请分享 tps25985 器件的更新设计计算器。

    此致、
    Sujith M

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    尊敬的 Avishek Pal：

    感谢您的分享。 有关  TPS24720 设计的 MOSFET 选择的另一个查询。 我可以 继续使用 CSD16401Q5 MOSFET 吗？
     我是否应该在设计中使用2个 MOSFET？

    此致、
    Sujith M

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    您好、Sujith、

    一个 TPS25985适合您的设计。  

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    尊敬的 Avishek Pal：

    我正在使用 TPS24720.所以请回答以上问题

    此致、
    Sujith M

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    您好、Sujith、

    建议将 MOSFET 稳态最大结温限制为100C。这取决于100C 时的 MOSFET RDSON、MOSFET RthJA、环境温度和负载电流。 请根据这些信息确定 MOSFET 的数量。   

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    尊敬的 Avishek Pal：

    注意到了 OK。  基于设计计算器、我完成了 TPS24720RGTR 原理图设计。 随附 的原理图可供您查看。如果有任何反馈 ，请提供。

    此致、
    Sujith M  

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    您好 、Sujith、

    原理图看起来正常。  

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    您好、Avishel Pal、

    感谢您的反馈。 是否可以重新检查 计时器故障超时设置。 最初我已将其设置为9.18ms。由于我的最大负载电流约为30A。在执行初始上电条件时，它是否会导致任何故障触发？
    是否需要更改故障超时？

    此致、
    Sujith M

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    您好、Sujith、

    在启动期间、除了热插拔控制器输出端的电容器外、所有下游负载都应关闭。 PG 信号应打开下游负载。 如果您按照此步骤操作、9.18ms 的故障计时器持续时间应该没有问题。   

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    您好、Avishel Pal、

    感谢您的快速响应。 您能否了解一下我的电源树架构。 这里有一个直接连接到热插拔控制器输出的接口。 其他接口是通过具有热插拔电源正常指示功能的降压稳压器加电。  

    此致、

    e2e.ti.com/.../EMFFM_2D00_Power-protection-circuit.pptx 

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    您好、Sujith、

    "SoM 连接器"和"E1.SSD 接口8Nos 器件"未使用热插拔控制器 PGOOD。 因此、我们需要知道 这两个负载的启动曲线、以选择计时器电容器。 如果未知、则必须通过实验来选择计时器电容器。  

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    尊敬的 Avishek Pal：

    SOM 连接器我们将插入 SOM，其中包括12V 至5V 30A 降压转换 器 TPS53355DQPT，它将通过12V 输入启用(不是热插拔电源正常控制)，而该5V 降压转换器将降低外设电源的电压。 根据 E1.SSD 接口规格(SFF-TA-1009)、每个器件的最大浪涌电流额定值 为2A。此外、我们还可以 借助热插拔控制器电源正常状态来启用 E1.SSD。 自从 E1.SSD 接口浪涌电流起、我们就可以控制。我已连接 ppt 供您参考。

    e2e.ti.com/.../Power-protection-circuit_2D00_25_2D00_08_2D00_2022.pptx

    此致、
    Sujith M

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    您好、Sujith、

    请让我尝试在另一次回顾计时器计算。  

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    您好、Sujith、

    我建议您通过对实际启动负载进行实验来微调计时器电容器。  

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    尊敬的 Avishek Pal：

    感谢您的重播。有关 PLIM(功率限制)选择的另一个查询，目前我已选择它为64W。您对此有什么建议吗？

    此致、
    Sujith M