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[参考译文] TPS3808:复位延迟时间的精度

Guru**** 679710 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS3808
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1129246/tps3808-accuracy-of-reset-delay-time

器件型号:TPS3808

美好的一天!

复位延迟时间(或片上精密220nA 电流源)可提供多高的精度?

第7.6节表中的最小-典型-最大值表示容差为+/-40%。

这是整个延迟时间范围内的精度预期值吗?

也就是说、当我根据第11页的公式选择一个 C_T 电容器时、实际的延时时间将在设计值的+/-40%以内?

精度是否取决于复位延迟的持续时间?

我主要对较长的延迟范围(大约10s)感兴趣、没有提供最小典型值-最大值。

对于如此长的延迟时间、精度是否更好/更差/相同?

延时时间是否在芯片的整个生命周期内发生变化?

例如、当我在组装 PCB 后直接测量延迟、然后在3年后再次测量延迟时、我是否会测量相同的延迟时间? 或者、这里是否同样适用40%的容差?

非常感谢您的支持!

Manuel

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    您好、Manuel、

    感谢您的提问。 在应用中、复位延时时间是指220nA 电流源将 CT 电容器充电至1.23V 所需的时间。  

    要考虑的主要因素是此应用中使用的电容器的容差。 因为电容的变化会改变电容器的充电时间。

    +/-40%容差用于考虑其他系统因素、例如寄生电容和温度以及器件的保护带。  

    最大值可在图7.3中规定、延迟约为14秒。 而数据表中的最小值为100pF。

     

    延时时间的精度应与较低延时时间相同。

    至于器件精度的寿命、主要因素是所用电容器的质量。

    如果使用了合适的电容器、则延时时间应在3年内保持一致。

    Jesse  

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    你(们)好,Jesse

    非常感谢您的回复!

    我很高兴听到电容器是主要影响因素!

    我花了相当多的时间来研究我使用的电容器的容差和老化行为。

    最后、我计算出在20年产品寿命内的近似容差为+/-15%。

    因此、当我在数据表中看到+/-40%时、我有点担心由于 TPS3808不准确而浪费了有关电容器容差的任何考虑。 但根据我们的解释、+/-40%的大部分不是来自 TPS3808本身(而是来自电容器)、这是令人放心的。

    您能否提供220nA 电流源和1.23V 阈值的一些容差?

    或者、在假设特定电容器属性时、您是否看到另一种估算延迟总体精度的方法?

    基本上、我的问题如下:我的电容器约占 20年时间延迟容差为+/-15%。 图7-4提供了延迟与温度之间的关系值。 对于我的温度条件(0-70°C)、我可能会因温度而获得+/-1%。 由于我的延迟大约为10s、因此电容器大约为2uF、这意味着 PCB 上的任何寄生电容都可以忽略不计。 因此、我预计总体容差大约为+/-16%。 这是否已经是对将实现的总体容差的良好估计、或者 TPS3808是否引入了进一步的误差? 整体容差有多大? 16% 20%? 40%? 无法辨别?

    非常感谢您的支持!

    Manuel

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    您好、Manuel、

    对于此器件的最坏情况分析、建议的典型容差为30%。

    对于220nA 电流源、设计30%的容差将会导致电流源在 TPS3808的整个生命周期内降级。

    Jesse  

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    你(们)好,Jesse

    非常感谢您提供的信息!!

    Manuel