[参考译文] TIDA-01095：高侧 MOSFET 栅极驱动器电压具有50ns 下拉电阻

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1131150/tida-01095-high-side-mosfet-gate-driver-voltage-is-having-50ns-dropdowns

尊敬的 TI：

我目前正在设计基于您的 TIDA-01095参考设计的4.5A LED 驱动器。 我已经制作了一个原型 PCB、目前正在对其进行测试。 我们注意到一种奇怪的行为、即高侧 MOSFET 栅极电压(红色通道)的下拉电压长约50ns、而低侧 MOSFET 栅极电压(绿色通道)看起来是正确的。 该图提供了一个快照、但所有开关周期的行为都是一致的。 从图中您还可以看到、LED 电流(黄色通道)几乎同时响铃。 与低侧 MOSFET 相比、这种奇怪的行为使得高侧 MOSFET 能够体验到双开关频率(大约800kHz)、而低侧 MOSFET 的运行频率接近预期频率(~400kHz、而计算结果为380kHz)。 这也会导致高侧 MOSFET 成为主要的热发生器(除了电感器)、因此、根据您的帮助、我们需要重新检查热设计以补偿这种奇怪的行为。 我们使用分流 MOSFET、但我想它与本主题无关、因为它始终处于打开状态- LED 以100%的速度运行。 从 TPS92641数据表中、我无法获得有关该短脉冲源的任何详细信息、因为芯片的逻辑块不可用、到目前为止我已经检查了：

• 过流保护：不适用、因为数据表声称高侧 MOSFET 关断时间为800ns、而我们始终保持~50ns
• 过压保护：我已将电压 LED 阈值从15V 增加到24V (LED 以大约13.5V 的电压运行)、但仍然具有完全相同的行为
• Ccomp 值：我已根据数据表和参考设计的建议放置470nF 电容

我的问题是：是否需要这些下拉菜单、或者是否有方法可以删除它们？ 它会影响我们的驱动器效率、热设计以及电磁兼容性行为。

以下是组件值：

VIN=48V

VLED=13.3V

FSW=379.6kHz

VCS=112.5mV

Rvout2=10k

Rvout1=47k

CON=1nF

Ron=14.85k

Riadj2=5.94k

Riadj1=10k

RCS = 0.025 Ω

L=47uH

COUT -未使用

Rudim1=56k

Rudim2 = 1.8k

RudiM3=22k