[参考译文] TPS51285B：不同温度下的 OC 限值不同

Chris Peng 

TPS51285B ºC 器的电流限制编程电流具有4500ppm/μ A 的温度系数和与温度相关的零电流偏移电压、这两者都有助于在低温下实现电流下降限制。  此外、与保持热处理室内低温相关的强制气流会导致控制器 IC 和 MOSFET 之间的温差更大、从而导致 FET 的自发热更大、并导致温度补偿电流限制编程电流与 MOSEFT 的 Rdson 之间出现不匹配。

4500ppm/μ s ºC 系数似乎大于 MOSEFT 的冷温度 Rdson 温度系数。  该温度系数不匹配会导致在低温下电流限制较低、在高温下电流限制较高。

MOFET 裸片温度、RDSon 设置和 IC 裸片温度设置电流限制编程之间的温度不匹配通常比室温更大、这也会导致在低温下测量的电流限制低于室温。

最后、电流限制检测电路的零电流检测偏移阈值可能会有一些温度漂移、从而导致随温度变化的电流限制。

通常、对于使用外部 MOSFET 进行电流限制的基于控制器的设计、由于 MOSET 的自发热高于控制器芯片温度、建议将 Rdson 增加20%、并使用-10mV 的最坏情况(最负)偏移电压。