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器件型号：BQ40Z80 例如、我在数据存储器中将 OCD1延迟设置为4秒、将 OCD1阈值设置为4000mA
当我用5000mA 的电流对电池放电时、OCD1警报标志和 OCD1状态标志之间会有良好的延迟(4秒)。 但是、我使用外部器件记录电流和电压、并且在放电开始和 OCD1警报标志之间存在延迟、在 OCD1状态标志和放电结束之后存在延迟。
我的开孔 MOSFET 非常快(微秒)、因此在命令信号和开孔之间没有延迟。 我认为 BQ40Z80读数第一次延迟太晚电流、第二次延迟 BQ40Z80激活 MOSFET 太晚。
我还有大约1.5秒的时间，所以从电流开始到打开 MOSFET 之间有5.5秒的时间，这是正常的吗？
