[参考译文] TPS63000：IQ 电流非常高

您好！

对于 EN 被拉 至 GND 时的功耗、我认为这是由输入的某些元件的泄漏引起的。 您能帮助检查 C5的泄漏电流吗？

对于无负载的4mA 抑制、您是否在输出已经累积时使用万用表进行了测试？

此致

TAO

您好，

感谢您的回答。

我检查了 C5电流、每次显示1uA。

[引用 userid="486697" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum 1065393/TPS63000-IQ 电流-极高/3941979#3941979"]对于无负载4mA 抑制、您是否在输出已经累积时使用万用表进行了测试？

是的、我正在使用万用表、但4mA 电流不仅用于启动时。 (U2与任何负载断开连接，只有 O/p 电容器可用，并且输入电压为3V 电池电源)

您好！

抱歉、对于连接到具有1M 电阻器的 VINA 的 PS/SYNC 引脚。 在 FPWM 模式下工作。 因此、功耗将高于静态电流。 这是合理的、您将在没有任何负载的情况下获得4mA 的输入电流。您可以尝试将此引脚连接到 GND、我认为您将获得更小的输入电流。

您能否与我分享 C5的器件型号、我认为泄漏电流应远高于1uA。 或者、您能否帮助检查是否有任何路径几乎会灌入 100uA 的电流？

此致

TAO

C5器件型号为  

GRM31CR60J157ME11L

同时，我尝试检查 PS/与 GND 的同步。

您好！

似乎我找不到有关该电容器泄漏电流的任何信息、您能与我分享一个链接吗？

当 EN 被下拉时、我仔细检查电流、它在规格范围内。 您是否可以仅使用芯片进行测试？

此致

TAO

以下是链接 murata_03052018_GRM_Series_1-1310166.pdf (mouser.com)"")。