[参考译文] CSD18510Q5B：最小 Vgsth 1.9V QFN MOSFET

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1065004/csd18510q5b-min-vgsth-1-9v-qfn-mosfet

器件型号：CSD18510Q5B
主题中讨论的其他器件：CSD18512Q5B、 CSD18532NQ5B

尊敬的先生/女士

我客户的产品是电动工具。 MOSFET 的规格为40V/ Rdon 1Mohm 1.3m Ω、封装为 QFN5x6。

我向他介绍 csd18510q5b 和 csd18512q5b。但他说 Vgsth 太低了。

他需要 Vgsth>1.9V。 TI 是否有符合客户规格的产品？

此致、

黄上

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 657930 points

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你好，Kami，

感谢您向客户推广 TI FET。我们的所有40V FET 的额定阈值电压均大致相同、其中任何一个都没有1.9V 的最小值。我们有60V 至100V 的 FET、具有更高的最小阈值电压、但导通电阻也更高。客户使用什么来驱动 FET 的栅极？我知道的大多数栅极驱动器都可以轻松地将 VGS 拉至小于1V。我不是很确定这项要求的原因是什么。请提供有关该应用的更多详细信息。

此致、

John Wallace

TI FET 应用

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 657930 points

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您好、John、

我的客户使用 AM4915来驱动 MOSFET、输入源为18V 或36V 锂电池。主要原因是电机驱动器会在驱动 MOSFET 时因噪声而导致电机装置出现故障。
对于60V/80V MOSFET、您建议使用哪种器件型号？我将与客户讨论、看看客户有什么意见。

此致、

黄上

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 657930 points

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你好，Kami，

对于60V FET、我建议使用 Vgs (th)= 2.4V 的 CSD18532NQ5B。 VGS = 10V 时的最大导通电阻为3.4mΩ Ω、高于目标值。这是我们的最低导通电阻 FET、Vgs (th)> 1.9V。此器件需要最小栅极驱动电压 VGS >= 6V、并且与5V 栅极驱动器不兼容。我将在下面添加一个指向适用于 BLDC 应用的基于 Excel 的 TI FET 选择工具的链接。用户可以输入其要求并比较最多3种不同的 TI FET 解决方案、以了解功率损耗、价格和封装。

https://www.ti.com/tool/MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC

此致、

John

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] CSD18510Q5B：最小 Vgsth 1.9V QFN MOSFET