This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC27321:防止 MOSFET 电压尖峰

Guru**** 666710 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC27321
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1065074/ucc27321-protecting-from-mosfet-voltage-spike

器件型号:UCC27321

我使用 Ucc27321栅极驱动器来控制 驱动电阻负载的 IPB120P04P4L-03 MOSFET @ 12V。  

问题是在测试器件是否存在短路控制时、MOSFET 电源上的电压尖峰较大、持续时间约为30us、约为~30伏。   拉电流与12伏 VCC 相连、后者也为 UCC27321供电。  这会导致 UCC27311超过最大电压15V、从而损坏 UCC27321。

通过将 MOSFET R 输出接地来执行短路测试。  处理器打开栅极驱动器会感应来自 AD8218的电流、并在1ms 内关闭栅极。  关闭会导致脉冲。

PCB 是具有接地层的4层。

我在 UCC27321附近的 VCC 上有瞬态电压抑制器 SMBJ15A (15V) 、但它不会将尖峰保持在15伏以下。   

如何保护 UCC 器件?

t

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、FJ、

    电路中的任何杂散电感都会在短路事件期间积聚能量、当您中断电流时、存储的能量会转换为您看到的电压尖峰。 由于您的电路似乎本质上是一个直流开关电路、因此有一些方法可以帮助解决此问题。

    因此、克服这一问题的方法:

    降低电路中的杂散电感

    2.增加栅极驱动器上的局部去耦、并使用1-3欧姆电阻将其与主12V 电源隔离。 铁氧体磁珠还有助于将尖峰与芯片电源隔离

    3.增加12V 电压轨的"刚度"、使能量在不升高电压的情况下返回12V 电源。 您可以使用生成12V 电压的较低输出阻抗电源和/或增加12V 电源上的去耦电容器来实现这一点

    4.增加栅极电阻器(显示为10欧姆)。 这将降低开关速度、并可能降低关断时的电压尖峰。

    您的原理图上没有显示任何去耦电容器、我假设您将它们保留以方便查看。 查看图30、了解 VDD 电容接地的建议布局。 请注意、从 VDD 到接地的环路有多好和紧凑。 我不会将顶部过孔连接到您的12V 电源、而是将另一个电容与 C2 (1uF)并联、然后通过电阻器或铁氧体磁珠将该节点连接到您的12V 电源。

    请告诉我们您的发现。

    此致、

    Don

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的退出反馈。  是的、这只是整个电路的一部分、有更多的去耦电容器、但可能还不够。   

    不确定我在输出端得到的电感在哪里、或者您可能不需要这么大的电感和大的短路电流来导致该尖峰?

    我将尝试您的一些建议。