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[参考译文] BQ76952:采用 BQ76952设计的 BMS

Guru**** 2568585 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-010208

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1062857/bq76952-bms-designed-with-bq76952

器件型号:BQ76952
主题中讨论的其他器件:TIDA-010208

降级器、

 我们在短路测试(硬件短路)中遇到了一些问题。

因为我们有两个需要满足/满足的测试条件。

  1. 4.7mF 电容器需要在不进行短路检测的情况下充电。 (EV 控制器输入电容)
  2. 如果  负载短路(硬件短路)、功率 MOSFET 必须安全。

现在、我们很难使用4个并联放电 MOSFET (IAUS240N08S5N019)来管理这两种情况。

因此、我们使用 PNP 晶体管(10V、VEBO)对这4 个放电 MOSFET 进行栅极放电。

 随附了短路测试条件下栅极放电波形很少的原理图。  

现在我的问题是:-

  •  该负电压是否 会损坏 我的 PNP 晶体管和 MOSFET。
  •  我们能否进一步降低 PNP 转换器的基极和发射极电阻(470欧姆和47欧姆)、以最大限度地缩短下降时间? 快速关闭会在下降时间产生振荡。
  •  负电压持续时间是否最小化。  

请建议 对附加电路进行一些改进。

请向我发送测试报告波形等以及 TIDA-010208的链接

谢谢、此致

Subhash Dhyani

e2e.ti.com/.../PNP-Transistor-for-gate-discharge.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Subhash、

    我不认为负电压会损坏 PNP 和 FET 栅极、只要它低于绝对额定值即可。 在-1V 时、这不应该是问题。

    您是否在 BQ76952、BQ76942电池监控器应用报告中看到过我们的多个 FET? 您应该能够移除470欧姆电阻并降低47欧姆电阻。 我建议您遵循 应用报告图4-2中所示的关断电路。

    您的栅极电阻看起来很小。 我通常看到客户在多个 FET 应用中使用~50 Ω、这也有助于减少 FET 之间的寄生振荡。

    所有测试波形和文件均位于TIDA-010208产品文件夹中。

    如果您在 SCD 测试中遇到问题、我还建议您阅读这个较旧的 e2e 线程:

    https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1054353/bq769142-mosfet-short-after-short-circuit-test---voltage-now-always-on/3904041

    请记住、您不想太快地关闭、因此请小心地平衡它。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的  Luis Hernandez Salomon:

     感谢您的建议、 我们已将放电电路替换为 TI 推荐   的基于 PNP 晶体管 的 MOSFET 栅极放电电路。

    但是我的放电时间增加了>10uS。 因此、我更改了几个电阻、尝试使这次 小于5uS。  但我没有实现。

    请查看附件并提出 一些好的建议。 我的目标是使 MOSFET 放电时间小于5uS。

     我们可以看到、电流下降到零所需的时间在 MOSFET 关闭后过长(栅极为零/-2V)。

    此 MOSFET 关断行为 是否会发生变化、从而也会缩短此时间。

    谢谢、此致

    Subhash Dhyani

    e2e.ti.com/.../TI-recommended-DSG-Mosfet-Gate-Dishcharge_2800_-PNP-transister_2900_.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Subhash、

    您尝试更改了哪些电阻? 这些电压降低了多少关断?  R21是否连接到另一个 FET?

    您可以尝试进一步降低栅极电阻、从50 Ω 降低到~20 Ω、甚至~10 Ω。 只要您在 FET 之间没有发生振荡、就可以了。 请记住电压瞬变。 如果关断速度太快、则电压瞬态可能会很大。

    请告诉我更改这些内容是否有帮助。

    此致、

    Luis Hernandez Salomon