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[参考译文] BQ25798:MOS 管背对背设计

Guru**** 2540720 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1063744/bq25798-mos-tube-back-to-back-design

器件型号:BQ25798

大家好、

问题:电源双输入端口设计采用背靠背 NFET 设计、客户想知道 由于 NFET 的 S 侧电压不确定、两个 NFET 是否可能无法导通?

您可以帮助检查此案例吗? 谢谢。

此致、

樱桃

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Cherry、

    共源 NFET 设计没有问题。  IC 通过 ACDRV 连接到 NFET 栅极、并通过 VACx 和 VBUS 进行排卸。  源极是远离漏极的压降。

    此致、
    Jeff