[参考译文] TPS6521815：TPS6521815编程

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1062586/tps6521815-tps6521815-programming

器件型号：TPS6521815

尊敬的 TI：

我使用另一个 MUC 通过 I2C 对 TPS6521815进行编程。我需要检查一些问题。

如何将 INT_LDO 从2.5V 提升到3.6V？

2.如果我可以提升 INT_LDO、则地址0x26旁边需要对值0x0F 进行编程。请帮助您确认该步骤是否正常？。

Step1：0x50、0x1A、0xCE 写入密码寄存器

BYTE_Write (0x10、0x50)；
BYTE_Write (0x10、0x1A)；
BYTE_Write (0x10、0xCE)；

STEp2：解锁0x26地址的写保护：

BYTE_Write (0x10、0x26 ^ 0x7D)；

Step3：将0x0F 写入寄存器0x26：

BYTE_Write (0x26、0x0F)；

步骤4：检查寄存器0x01中的位0 ="1"

uint8_t ret = Byte_Read (0x01)；

以上步骤是否正常？

电量

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2378760 points

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您好、Trery、

感谢您的支持！以下是对您的问题的回答：

[引用 userid="253121" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum 1062586/tps6521815-tps6521815-programming]1. 如何将 INT_LDO 从2.5V 提升到3.6V？[/QUERP]

INT_LDO 是内部偏置。它的标称电压为2.5V (直流精度为+/-2%)、并且仅在 EEPROM 编程期间才会自动提升至3.6V。无需用户专门更改 INT_LDO 上的电压。此外、TI 不建议将任何外部负载连接到此引脚。

[引用 userid="253121" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum 1062586/tps6521815-tps6521815-programming]2. 如果我可以提升 INT_LDO、则地址0x26需要对值0x0F 进行编程。请帮助您确认该步骤是否正常？ .[/报价]

根据您的代码、似乎目标是对一个 SEQ7寄存器(0x26)进行更改。要对 EEPROM 上的任何 E2类位进行重新编程、必须先对寄存器进行更改、然后在 EEPROM 上保存新设置、使其成为加电默认设置。例如、以下是对 SEQ7寄存器进行更改时要执行的步骤：

将目标寄存器的地址与保护密码(0x7D)进行异或写入密码寄存器(0x10)。这意味着将5B (0x26 XOR 7D)写入地址0x10。
将数据写入密码保护寄存器。这将转换为向寄存器0x26写入0x0F。
通过将 I2C 命令连续写入密码寄存器、将新的寄存器设置保存到 EEPROM 中。这转换为向寄存器0x10写入0x50、0x1A、0xCE (按此顺序)。

您是否可以尝试执行这些步骤、然后执行下电上电以确认更改已保存并成为新的上电默认设置？如果您发现任何问题、请告诉我、我很乐意为您提供帮助。

谢谢、

Brenda

电源管理（参考译文帖）

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