[参考译文] BQ78350-R1：出现数据闪存 Wearout 错误

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1062465/bq78350-r1-data-flash-wearout-error-occurrence

器件型号：BQ78350-R1

您好！

我们正在使用 BQ78350-R1芯片进入 OUT BMS、以监控电池组状态。但是、我们经常遇到数据闪存 Wearout (DFW)永久故障。 PF 可通过 BMS 复位来取消、即断开并重新连接电源线。我们假设这是由于对数据闪存的过度写入导致的、可能是由我们仍必须正确识别的某些子例程触发的。您是否有关于如何正确处理数据闪存并可能避免过多写入访问的信息？

如果需要、我们可以共享处理 TI 芯片的专有源代码部分。

此致、

Ferdinando Gasparini

电池测试工程师

斯蒂加 S.p.A.

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2609955 points

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您好 Ferdinando、

看到这种永久性失败是非常不寻常的。数据闪存的额定值为20、000次写入-您在多少个数据包中观察到了这种情况？此 PF 指示写入闪存的数据无法成功写入。您是否能够在发生此 PF 时缩小范围(它是数据存储器中的特定段还是寄存器)？我想您可以通过检查是否有一些代码过度写入闪存来实现正确的目标。遗憾的是、我没有任何有关调试此类故障的其他提示、因为这种情况非常罕见。上次有人报告这种情况时、它位于大量器件中的单个单元上、这可能是一个在20、000次写入之前失败的弱器件。

更新了：我确实找到了一个较旧的线程、其中通过错误地对 srec 进行编程(通过写入数据闪存中的最后一个地址)来引发 DFW PF。应避免读取或写入地址0x4612以外的地址。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/629964/bq78350-pf-data-flash-wearout-failure

此致、

Matt

电源管理（参考译文帖）

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