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[参考译文] BQ24308:数据表拼写错误和 IC 的其他用途

Guru**** 2551110 points
Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1050617/bq24308-datasheet-typo-and-other-purposes-of-ic

器件型号:BQ24308
主题中讨论的其他器件:TINA-TI

您好!

1、此处为您的数据表- https://www.ti.com/lit/ds/symlink/bq24308.pdf -第14页是否有拼写错误? 我认为 PMOS 发生翻转、因为图中所示的电流会沿漏极到源极的方向流动。

2.此外,您的产品是否与电源可能不总是连接的情况兼容(如电池情况)?

3.此外,本产品是否可用作锂电池保护电路? 还是应使用单独的保护 IC? 欢迎对此类 IC 提出任何建议。

4.对于具有用于反极性保护的外部 PFET 的示例,如果输入电源为5V,输出端的压降会是多少? 似乎您的应用示例图绘制的是 VIN (IC 的输入)而不是输入电源-因此我想更好地理解这一点。

5.该部件是否有适用于 TINA-TI 的 SPICE 模型?

谢谢。

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    你好,Aziz,

    我认为 PMOS 的方向是正确的。 这是为了在 VIN 以反极性连接的情况下提供保护。

    如果未提供 VIN、器件的输出将关闭、因为 VIN 低于 UVLO。

    电池保护电路应使用单独的保护 IC。 此处显示了几种不同的单节电池保护 IC: https://www.ti.com/power-management/battery-management/protectors/overview.html

    没有适用于此器件的 SPICE 模型。

    此致、

    Matt

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    您好、Matt、

    也许我缺少一些东西-由于 PMOS 的电流应从源极流向漏极(以防止体二极管导通)、那么 PMOS 源极如何连接到 VIN 引脚? 您能详细说明一下吗?

    谢谢。

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    你好,Aziz,

    当 VDC 输入 为负时、FET 体二极管关断、反向偏置。

    当 VDC 输入为正时、首次连接时、FET 体二极管允许 IN 引脚从适配器的 VDC 接收电压。

    当器件已识别电源并将 PGATE 设置为"低电平"时、FET QEXT 将导通、VDC 连接到 IN。   

    此致、

    Matt

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    您好、Matt、

    感谢您的澄清-我为您的组件制作了一个简单的 PCB、但在复制预期行为时遇到了问题。 我的原始设计的 PFET 方向错误、但我在组装过程中将其反向。 我注意到、当 PFET 方向不正确时(如下所示)、只有当电压为正时、电路才会正常运行。 当它变为负值时、电源检测到短路(可能是由于 FET 的体二极管、并且可能符合您的上述特性)。  

    当我更正 PFET 极性时、我注意到我的输出电压(VBUS_5V 始终在0V 附近悬停、无论电源输入(TP3)是正还是负。

    具体而言、对于正确的 PFET 方向、当电源输入为5V 时、我看到:

    VDrain = 4.92V

    栅极:1.73V

    资料来源:4.92V

    和 VOUT/VBUS_5V [TP4]:~0V。

    当电源切换到-5V 时、我们看到:

    VDrain:-4.92V

    栅极电压:-0.56V

    电压源:-0.5V

    VOUT/VBUS_5V[TP4]=-0.78

    请注意、下面的 VDD 是我的锂聚合物电池、我在几次测试中断开了该电池、但结果类似。

    我正在尝试使用 ZVP3306A 晶体管、但也尝试了 SI2307CDS-T1-GE3。

    当 PFET 朝向正确的方向时、反向电压被阻断(这很好)。 但是、在正向方向上、即使输入端子上的电压正确、电压也不会出现在 BQ IC 的输出端子上(因此表明晶体管工作正常、BQ 正在正确控制它)。 我在我的几个 PCB 上尝试过这种方法、因此这可能是其他一些设计问题。

    我可能会出什么问题?  

    感谢您的帮助!

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    你好,Aziz,

    我不确定在这种情况下为什么会禁用输出。 输出是否有可能出现过流情况(这也会禁用输出)?

    Matt

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    您好、Matt、

    简而言之、不会出现过流情况。 我一直在做一些实验、但无法使用原理图复制您的结果。 我需要确定您的产品是否适用于我的电路、或者是否适用于其他电路-因此、我们非常感谢您提出的任何建议。

    我的目标是让您的组件与外部 PMOS 配合工作、以便我们获得额外的反极性保护。  

    下面是使用多个电路板重复进行的一些实验:

    最奇怪的观察结果是 PGATE 端子似乎很关键-如果它悬空(即使在没有外部 PFET 的情况下)、BQ 组件不会激活、这与您的数据表相反。

    2.当我以原理图中所示的正确配置连接 PFET 时、我会看到与(1)相同的行为。  

    3.如果我将 PFET 放置在正确的方向上、并在栅极和电源之间放置一个0欧姆或1K 欧姆的电阻器(与您的数据表不一致)、则该组件适用于正电压。 但是、反极性保护不起作用。

    4、我很好奇、尝试了一个 BJT、发现了有趣的结果。 相反、如果我使用 PNP (BJT)晶体管(TIP30CGOS)、并将集电极连接到电源、将基极端子连接到 PGATE 引脚、将发射极端子连接到 BQ 输入电压端子、则电路工作正常(即使施加负输入电压)。 但是、BQ 的输出端子为4.3V、这会导致压降过低。 因此、即使这一观察很有趣、但对我来说也不会有什么影响。  

    5、如果我完全移除晶体管并将 PGATE BQ 端子、VIN BQ 端子和5V 输入电源短接在一起、则电路在输入电源为正时工作、但显然不在负电压下工作。

    6.我最成功的实验使用了肖特基二极管(1N5817)(而不是晶体管)并将 PGATE BQ 端子、VIN BQ 端子和二极管阴极连接在一起。 它在正向和反向电压方向工作。 但是、由于二极管上的充电电流从~ 100mA 下降、BQ 输出端子的压降很大(VOUT=4.58V)。 因此、这是一个不错的解决方案、但不是首选。

    您能否详细说明我们为什么会看到这些奇怪的场景(具体是1、2、3)、以及如何复制正确的结果(包括使用了哪些 FET)。

    我花了很多时间猜测出了什么问题、需要致电我们是否可以在我们的设计中继续使用该组件。

    谢谢。

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    你好,Aziz,

    我想 、Si2343DS 在 EVM 上仍可用时被列为 PFET。 我不确定我是否理解了您的测试结果、但我明天将仔细查看并了解我是否可以提供说明。

    此致、

    Matt

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    您好、Matt、

    让我们简化这一过程并移除外部 FET。 如果我保持 PGATE 悬空(即未将 PGATE 与电源电压绑定)、我无法复制您的结果。 您能解释一下为什么会出现这种情况吗?

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    你好,Aziz,

    您是否见过此文档?  https://www.ti.com/lit/ug/sluu291b/sluu291b.pdf 请参阅第12页、其中显示了使用的 PFET。 它还在 PGATE 引脚上使用了一个100k 上拉电阻器。 我不确定如果 PGATE 悬空会发生什么情况(该器件的设计人员已不在身边、因此很难研究架构)。  

    此致、

    Matt