[参考译文] 需要零件建议

您好、Ayush、

感谢您关注 TI FET。 我们的 PFET 器件的额定电压最高为-20V、我们不建议使用 P 沟道 FET。 对于 NFET、CSD18541F5针对负载开关或低频开关进行了优化、并且未在500kHz 下进行测试。 内部栅极电阻的典型值为1.2kΩ Ω、在这种高开关频率下、器件的性能不会很好。 我们可能会根据您的要求提供一些替代方案。 CSD18543Q3A 针对高频开关应用进行了优化、采用3.3x3.3mm SON 封装。 您能否在应用中使用所有 NFET 器件？ 如果是这样的话、采用 SO8封装的 CSD88539ND 双路60V N 沟道 FET 可能是一种替代方案。 此器件需要 VGS = 6V 的最小栅极驱动。 CSD19538Q2采用100V N 沟道 om 2x2mm SON 封装。 这还需要最低 VGS = 6V 的栅极驱动、并采用3.3x3.3mm SON 封装作为 CSD19538Q3A。

此致、

John Wallace

TI FET 应用

您好、Ayush、

我不确定您对开关频率有何要求。 TI 的许多 FET 针对开关模式电源应用进行了优化、开关频率高达1MHz。 但是、某些器件针对静态开关应用进行了优化、例如负载开关、热插拔和 OR'ing、其中 FET 处于导通状态并保持导通状态。 最后、我们提供了一些 FET、这些 FET 面向开关频率小于50kHz 的电机驱动应用。 请告诉我还能做些什么来帮助您。

谢谢、

John