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您好!
这些评估板中 H 桥的开关频率似乎设置为~100kHz。
1) 1) 我正在考虑以更高的频率(例如250kHz ~ 300kHz)进行开关、以减小磁性元件尺寸、同时不牺牲效率。 在这个功率级别上、这是否可取?
2) 2) 在600W 功率级别为该评估板选择100kHz 时、考虑了哪些因素?
此致、
Nitish
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您好!
这些评估板中 H 桥的开关频率似乎设置为~100kHz。
1) 1) 我正在考虑以更高的频率(例如250kHz ~ 300kHz)进行开关、以减小磁性元件尺寸、同时不牺牲效率。 在这个功率级别上、这是否可取?
2) 2) 在600W 功率级别为该评估板选择100kHz 时、考虑了哪些因素?
此致、
Nitish
您好!
请注意、EVM 有效开关频率为200kHz (二次频率)、一次侧开关频率仅为100kHz。
如果您唯一要做的是提高开关频率、则需要更改输出电感器和变压器。 但是、您应该仔细检查电容器以查看它们是否能够处理更高频率的 RMS 电流、因为 EVM 的设计主要频率为100kHz、次级频率为200kHz。
较高的开关频率将导致更高的栅极驱动损耗和 SR FET 损耗。 初级 FET 可能不需要更改、但次级 SR 可能需要更改。
以下链接将为您提供一份应用手册、其中介绍了使用 UCC28950的 PSFB 的分步设计过程。 有一些用于根据开关频率估算半导体损耗的公式。 这将有助于评估设计。
https://www.ti.com/lit/pdf/slua560
还有一个基于 slua560应用手册的 Excel 设计工具、您也可以使用它来检查您的设计。
https://www.ti.com/lit/zip/sluc222
此致、