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主题中讨论的其他器件:CSD88537ND、 CSD88539ND、 CSD75208W1015、 CSD75207W15您好:
请推荐相对交货日期较晚且具有高成本性能的通用 MOSFET (双 MOS)。
需求参数:封装 SO-8、RDS (ON)=约100m Ω、VGS =±20V、id =约2a、VDS = 60V。
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您好:
请推荐相对交货日期较晚且具有高成本性能的通用 MOSFET (双 MOS)。
需求参数:封装 SO-8、RDS (ON)=约100m Ω、VGS =±20V、id =约2a、VDS = 60V。
你好 Jimmy、
感谢您的查询。 我们在 SO8封装了几个60V 双路 NFET 器件:CSD88539ND 最接近您的要求、但导通电阻要低得多(VGS = 6V 时最大为34mΩ Ω)。 该双 FET 需要 VGS >= 6V、且 VGS 最大值=+/-20V。 另一种选择是 CSD88537ND、但这是一种更高性能/成本的解决方案。
此致、
John Wallace
TI FET 应用