This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC21750:1MHz SiC 栅极驱动器查询

Guru**** 1815690 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21710, UCC21732, SN6505B
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1054352/ucc21750-1-mhz-sic-gate-driver-inquiry

器件型号:UCC21750
主题中讨论的其他器件:UCC21710UCC21732UCC25800SN6505B

对于由 Moog Inc 赞助的项目、我们将设计一个5kW、1MHz 双向 CLLC 谐振转换器。 对于初级侧、我们使用650V SiC (在 SEMI NVH4L015N065SC1上)、我们想知道您是否有推荐的或合适的栅极驱动器来在1MHz 下开关此类器件  

在浏览您的隔离式栅极驱动器选项后、我注意到所有这些选项都具有建议的最大开关频率为1MHz。 哪些因素决定了该限制? 它是否在驱动器电气内部、是否由于散热问题等  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Minh、

    我们的器件专家稍后将向您回复。 感谢您的耐心等待。

    谢谢、

    Alex M.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Minh、  

    我建议查看任何具有 OC 引脚的 UCC217xx 系列。 我建议根据您提供的信息首先查看 UCC21710或 UCC21732。  基于 OC 引脚的短路检测对于 SiC FET 具有时序优势。  

    查看 UCC217xx 系列中的比较指南:

    https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1011093/faq-ucc21710-what-are-the-differences-between-ucc217xx-and-iso5x5x/3736299?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=difference%20ucc217xx#3736299

    对于偏置电源、我还建议查看以下器件 UCC25800、UCC14240、SN6505B

    1MHz 频率限制基于多个因素。 所有驱动器的主要限制是器件的热性能和时序。

    从器件功能的角度来看、虽然这是可行的、但请确保考虑器件间偏移和脉宽失真、以及驱动器的 CMTI 限制。  

    我建议使用 SiC FET 模型对此进行仿真。  

    我们为  我们的驱动程序提供了 PSPICE 测试台/提供了免费版本的 OrCAD。  

    根据 SIC FET 的283nC 栅极电荷、热性能看起来不错。  

    我们有一个计算器工具、除其他外、该工具可根据开关的栅极电荷、环境温度和其他参数估算结温。 请注意、默认频率范围高达50kHz、因此如果使用该段、您必须对其进行编辑。  

    https://www.ti.com/product/UCC21710-Q1#software-development

    如果您有任何其他问题、请告诉我、否则您可以通过按下绿色按钮来关闭该主题。  

    最好

    Dimitri

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您能否详细说明一下影响1MHz 限制的电气问题? 我计划以1MHz 的频率开关 SiC FET (不超过该频率)。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    当然、  

    首先是器件热性能

    请查看本节 我们的数据表:电源开关/ TJ 计算。  

    长话短说、P=Iavg^2乘以 R、其中 R 将是开关的内部电阻。 当我们切换时、我们始终在器件内部散发热量。 由于我们基本上是在驱动栅极时为电容器充电、因此 FET 的 Qg 很重要。 因为平均电流为 Qg*频率。  

    如果我们将频率推高、则平均电流很高、内部 FET 到栅极驱动器的热耗散很高、我们需要确保不超过 TJMAX 并损坏器件。 在您的案例中、283不是大规模的、因此热性能不是问题。  

    那么、基本上、时序有4个主要的相关事项。

    1) 1)传播延迟。  

    如果我们完全打开栅极需要100ns、而将栅极拉回需要100ns、那么如果我们以1MHz 的频率进行开关、这会产生巨大的影响、但如果我们以1Hz 的频率进行开关、则会产生巨大的影响。 在这种情况下、我们需要考虑系统时序中的传播延迟。  

    这会截断我们预期的输出脉冲、并在我们降低开关周期时产生更大的影响。  

    2) 2)脉宽失真

    另一件事是我们的导通和关断时间不完全相同。 在我们的器件中、它们匹配良好、但情况并非总是如此。  

    基本上、如果关断时间比关断时间长、我们的脉冲将比预期的时间长、如果相反、脉冲将变短。  

    1)随着频率的增加、1)和2)输出脉冲的变化百分比会更高、 最终输入脉冲会得到很大的改善。非常感谢、PWD 在我们的栅极驱动器中受到很好的控制、并且非常低。

    从上图和下图中、我们可以直观地了解计时不确定性如何保持。

     

    3) 3)去毛刺脉冲滤波时间

    该驱动器具有 40ns 输入抗尖峰脉冲滤波器、可抑制噪声。 因此 、驱动器输出的输入高电平必须超过40ns。

    这会对最短导通时间、f_SW 和占空比的乘积设置硬限制。  

    4) 4) P2P 偏斜。  

    不同器件可能具有传播延迟。 在半桥中 、P2P 计时偏斜设置 死区时间的下限。  

    总之、在 LLC 转换器中的 HS 和 LS FET 之间设置足够的死区时间时、需要考虑所有时序不确定性。  

    在 UCC217xx 中、P2P 倾斜和 PWD 最大值为30ns 在设置死区时间和  最小占空比时、请考虑这一点。  

    希望这有所帮助

    如果您有任何问题、请告诉我。  

    最好

    Dimitri

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢你的答复。 因此、对于抗尖峰脉冲滤波器时间和 P2P 偏斜而言、只有当我的导通时间非常短时、这些问题才会出现。 在我的设计案例中、我应该准时运行40%至50%、这样就不会出现这种情况。  

    根据我的理解、PWD 是栅极驱动器内部的、以更高的频率运行会使效果更加明显?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    [引用 userid="282422" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1054352/ucc21750-1-mhz-sic-gate-driver-inquiry/3901849 #3901849"]对于我的设计案例、我应该准时运行40%至50%、因此这似乎不会成为问题。  [/报价]

    我同意。 如果它的传播范围较大、如5%-95%、这 将是一项挑战

    [引用 userid="282422" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1054352/ucc21750-1-mhz-sic-gate-driver-inquiry/3901849 #3901849"]根据我的理解、PWD 是栅极驱动器内部的、以更高的频率运行、这使得效应更加明显

    正确。