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[参考译文] UCC28740:ucc28740简化错误支持

Guru**** 2457760 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28740, TL431

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1050549/ucc28740-ucc28740-simplis-error-support

器件型号:UCC28740
Thread 中讨论的其他器件: TL431

TI、

从 ucc28740 simplis 仿真示例开始:

https://www.ti.com/product/UCC28740#design-tools-simulation

我创建了一个初级(直流输入、开关、钳位、泄放器等)、 辅助(为 ucc28740供电)和辅助(仅为电源输出供电)、复制并粘贴 ucc28740 "符号"、然后使用"F11"键复制并粘贴 ucc28740 "子电路代码"到我的新 simplis 仿真/原理图/文件中(请参阅随附的-不确定是否随附)。

问题:
我遇到了一组错误、这对我来说毫无意义:

错误:

(二

<<<<<<<<< 错误消息 ID:1051 >>>

输入文件 C:/Users/dekk0/Desktop/ECEN/9_5527 PE 实验2/4_作业/20_Final 设计文件/2_Simulations/SIMPLIS_Data/1_PRI_AUX_NO_Cntrls.deck、第3385行:

+ X3=1.123456789 Y3=1.123456789

Y3的值应为

大于的值

Y2。

在 SIMetrix/SIMPLIS 上,版本:8.50a

***结束 SIMPLIS 错误报告***

首先、文件"SIMPLIS_Data/1_PRI_AUX_NO_Cntrls.deck"中没有"line 335"。

其次、我不知道 X3或 Y3是什么、它们位于何处、也不知道如何开始解决此问题。

是否有人会帮助我解决此问题(我猜是后续问题)?

谢谢、

C

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    您好、Craig:

    感谢您的提问。  

    我没有看到附件。 请再次上传吗?

    此致、

    Wesley

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    您好、Craig:

    我刚才尝试过这种方法、它可以很好地运行。 因此、复制/粘贴子 ckt 代码时会出现一些问题。  

    我的步骤是

    1. File (文件)--> New SIMPLIS file (新建 SIMPLIS 文件)。  

    2.选择全部并复制到"UCC28740传输"中、然后粘贴到新的 SIMPLIS 文件中。  

    3.复制 UCC28470、HVFET 和 TL431的 SUBCKT 代码;将其粘贴到新的 SIMPLIS 中(按 F11)

    4.选择"Simulator"并执行瞬态分析。 它工作正常。  

    我不确定您遇到了什么问题。 请重试吗?

    谢谢。  

    此致、  

    Wesley

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    如何将一个帖子 simplis 仿真文件发送到此板?

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    您好、Craig:

    您可以使用"insert"-->"image/vedio/file"将文件附加到您的帖子中。  

    e2e.ti.com/.../UCC28740_5F00_TRANS_5F00_SIMPLIS.sxsch

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    e2e.ti.com/.../1_5F00_PRI_5F00_AUX_5F00_NO_5F00_Cntrls.zip

    Wesley、

    好的、花了一段时间来确定您的文件上传系统 (不是很明显-您需要添加一个看起来是"上传"的官方按钮并添加注释、即您只接受 zip 文件、我不确定为什么必须先键入文件名、然后搜索/添加它。)

    注意: 所连接的与原始的 ucc28740 simplis 仿真示例类似、但仅包含初级侧、变压器、次级侧(仅供电-无控制)和辅助装置、用于为 UCC 芯片供电。

    要创建文件 i:

    首先构建了初级、次级和辅助电路、

    然后、将 UCC 仿真示例中的 UCC"符号"复制到附加的工程中、

    第三、通过"F11"命令、我从原始 UCC 仿真示例中复制了"子电路代码"并将其复制到所附的工程中(我删除了不使用的器件)。

    在 UCC 反馈引脚断开的情况下、UCC 应将最大输出功率驱动到最大输出功率。

    我必须做一些小错误。

    我对 SIMetrix/SIMPLIS 有一些经验、但这不足以解决此问题。

    祝你好运。

    谢谢、

    C

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    您好、Craig:

    我认为您未按如下方式输入 MOSFET 标签。  

    我输入密码后没有错误消息。 请检查附件。  

    谢谢。  

     e2e.ti.com/.../1_5F00_PRI_5F00_AUX_5F00_NO_5F00_Cntrls.sxsch

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    Wesley、

    感谢您的快速响应。

    我似乎在使用 FET 方面遇到了困难。

    两个问题:

    ucc28470 是否需要 VDD 上的电压(范围19至23V)才能运行、或者芯片是否只能在 HV 上运行?

    尝试找出:

    答: 如果在特定的时间内未检测到 VDD、该芯片是否具有自动关断功能、

    B: 我能否只使用一个低电压 VDD 源(尝试在我的电路的初始调试中跳过一个高电压阶跃)来启动/运行这个芯片(驱动 MOSFET)。

    e2e.ti.com/.../5516.1_5F00_PRI_5F00_AUX_5F00_NO_5F00_Cntrls.zip

    2、 所以我使您请求的 mod 命令和 UCC 芯片启动、尽管给出的电压为微伏。  我选择了一个更合适的 FET (请见所附文件)、"提取"模型、然后切换到"用户定义"、将其命名为"MOSFET"、我返回到原始误差。

    如何在该电路中选择/添加 FET 而不会出现错误?

    谢谢、

    Craig

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    您好、Craig:

    不用客气。

    关于您的问题、  

    1A:VDD 达到23V 后、HV 将关闭、如果 VDD 降至低于其 UVLO、UCC28740将关闭。  所以答案是"否"。 UCC28740不能由 HV 供电。 VDD 是必需的。  

    1-B:是的、您可以在仅向 VDD 引脚提供电压源的情况下启动/运行此 UCC28740。 您可以找到 VDD 启动/停止/运行规格。 如下所示。  此外、我们共享的 UCC28740模型用于函数仿真。  您可以在 TI 的仿真原理图中找到该模型还使用 PWL 电压源为 IC 供电。

    UCC28740数据表

    我会检查它。 这可能需要一些时间。 如果您想检查 UCC28740的功能、我建议您先使用我们 TI 在仿真中提供的 MOSFET 模型。 节省调试时间会有所帮助。  

    如果您在使用 MOSFET 模型时仍然遇到错误消息、请告诉我  

    周末愉快  

    此致、  

    Wesley。

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    Wesley、

    我只想澄清一下您对1A 和1B 的回答:

    HV 启动的一般操作:

    当 HV (大容量电压)可用时、HV 引脚为 VDD (VDD 电容)引脚充电至19-23V (接通 UVLO)。  此时、HV 启动功能禁用、芯片期望 VDD 电容/电源继续为电路供电。  如果 VDD 电容/电源发生故障(降至关断 UVLO、7.35 - 8.15V 以下)、则芯片会关断。

    因此、没有官方关断计时器减去在所选 VDD 电容器和 UCC 负载的大小中创建的计时器。

    很明显、一个(在实际中)只能通过从外部为 VDD 引脚提供接通 UVLO (19-23V)来启动芯片。  在这种情况下、应该能够观察芯片尝试驱动 FET 的栅极。

    我是否应该能够通过仿真进行复制?

    谢谢、

    C

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    您好、Craig:

    是的、IC 中没有关断计时器。 您可以使用 Irun (在数据表的第5页上)和 UVLO 来根据所需的时间计算必要的 CVDD

    您可以通过直接提供 VDD 电压来启动芯片、当然也可以通过 SIMPLIS 模型来复制芯片。 您可以查看 TI 提供的瞬态模型。 它还通过外部 PWL 电压源为 VDD 供电、以开启此芯片。  

    此致、  

    Wesley

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    您好、Craig:

    我已检查您的 SIMPLIS 文件。 我认为误差主要来自错误的原理图。 例如、MOSFET 驱动器电路不正确、FB 浮动和缓冲器不正确(或钳位电路)。 我进行了如下修改。 它可以进行无错仿真。 但是、我不得不说、这个模型不能很好地工作、因为我的目的只是为了修复错误。 我没有对其进行优化。  

    我建议您先运行一些仿真并修改 TI 提供的模型。 它将帮助您熟悉 IC 功能和外部电路、并且您在自己制造电路时可以节省时间。

    e2e.ti.com/.../1_5F00_PRI_5F00_AUX_5F00_NO_5F00_Cntrls_2D00_modify.sxsch

    此致、  

    Wesley

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    Wesley、

    非常感谢您进行此仿真!

    我看到您添加了建议的"CCS"引脚。

    我猜您移除了"HV"连接并将电压源添加到"V_AUX"/VDD 引脚、以模拟我的实验室低电压测试体验。

    注1: 我用恒定的23V 替换了您的 PWL 电压源、以加快速度。

    我理解为什么您将电容放置在"FB"引脚上以防止悬空情况。

    我知道为什么您将 AUX 电容从100nF 更新为10uF (这是复制和粘贴错误)。

    我知道、在这个开环、"最大驱动"情形中、输出(秒和辅助)电压应该驱动到一个最大值。  不是很理想,虽然比我一天前的好

    注2: 我将"RS2"值从26.7kohm 更改为26.7kohm、以更好地满足最大"Vs"限制:4.52-4.7x V

    注3: 我将"RS2"从26.7k Ω 更改为5k Ω、以查看即使在这种开环"最大驱动"情况下、我也能使输出达到稳定状态。

    我还制作了"__HV 启动"版本(连接到 VBULK 的 HV 引脚和拆下的外部 V_AUX 电压源)、它看起来像启动和预期转换一样!

    我还清理了仿真"工作表"、使其更易于阅读。

    问题:

    1. 为什么要添加100欧姆 DRV 到栅极电阻器?  我不认为这是建议(即使在布局示例中)、

    谢谢、

    C

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    您好、Craig:

    很高兴听到您的仿真符合您的预期。  

    坦率地说,关于抵抗,我根据我的经验补充了这一点。 通常、它适用于大多数 MOSFET。  

    该电阻与 MOSFET 的特性更为相关。 电阻越高、MOSFET 开关损耗越大、但 VDS/VGS 振铃越少;另一方面、电阻越小、效率越高、但 MOSFET di/dt 产生的噪声越高。 通常、我们会设计一个简单的驱动器电路、其中包含2个电阻器和1个二极管来驱动 MOSFET。 优化 MOSFET 的性能很有帮助。  

    因此、如果您想了解有关 MOSFET 驱动器电路的更多信息、请参阅以下链接。 这将使您更清楚地了解 MOSFET 的驱动器电路。  

    MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理

     此致、  

    Wesley

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    Wesley、

    已连接主要、辅助和辅助高压启动(高压启动->运行) PICS。

    在"HV_START_PRI"中、FET 导通的电流似乎要高得多(预计最大值< 2A)、并且栅极电压似乎远高于预期(最大值14V)。

    问题1:

    在给定该设置的情况下、是否应该期望这些级别?

    在"HV_START_AUX"中、在 HV 启动关闭(大约14ms)后、似乎 VDD 引脚为辅助绕组供电的电流约为400mA、或 VDD 引脚消耗400mA ("内联电流探头"指向 VDD 引脚电源辅助方向)。

    问题2:

    这看起来是对的吗?  如果 FET 的 Q 值非常高、则可以预期芯片会消耗更多的驱动电流、但我认为芯片被限制在25mA。

    e2e.ti.com/.../HV_5F00_start_5F00_pics.zip

    谢谢、

    C

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    Wesley、

    我认为我需要稍微澄清 RS1和 RS2值的设置。

    首先、我需要系统在以下输入范围内工作:85至264 VRMS

    RS1方程= Vin(RUN)*sqrt (2)/(NPA*IVSL (运行)

    对于我的系统、NPA = NPS = 8、没问题

    VIN (RUN)=交流 RMS 电压、以使控制器开启= 85VRMS、正常

    IVSL (run)= 190 (min)、225 (nom)、275 (max) uA:  

    问题1:

    我是否需要弄清楚我的实际芯片使用的值(以某种方式推导)、或者我是否选择一个值以在某个范围内工作-例如、我所需的输入电压范围是否有更好的值?

    RS2方程=(RS1*VOVP)/(NAS*(VOV-VF)-VOVP)

    对于我的系统、nA = nS、因此 nas = 1、没问题

    Vov =转换器输出端允许的最大峰值电压

    问题2:

    这是峰值电压(最大峰值电流*电容 ESR +最大稳定状态还是最大稳定状态或最大稳定状态加上一些软糖因子)?

    Vf =电流接近零时的输出整流器正向压降?  

    问题3:

    这是指输入交流整流器二极管电压还是辅助整流器二极管电压?

    VOVP = 4.52 (最小值)、4.36 (标称值)、4.71 (最大值)、

    问题3:

    我是否需要弄清楚我的实际芯片使用的值(以某种方式推导)、或者我是否选择一个值以在某个范围内工作-例如、我所需的输入电压范围是否有更好的值?

    谢谢、

    C

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    您好、Craig:

    请检查我的回复、如下所示。  

    "HV_START_AUX"中、在 HV 启动关闭(大约14ms)后、似乎 VDD 引脚为辅助绕组供电的电流约为400mA、或 VDD 引脚消耗400mA ("内联电流探头"指向 VDD 引脚电源辅助方向)。

    这看起来是对的吗?  如果 FET 的 Q 值非常高、则可以预期芯片会消耗更多的驱动电流、但我认为芯片被限制在25mA。

    它是奇怪的波形。 您可以放大并查看其详细信息、以确保其方向。 这两个问题都需要更多信息来检查它们是否正确。

    我是否需要弄清楚我的实际芯片使用的值(以某种方式推导)、或者我是否选择一个值以在某个范围内工作-例如、我所需的输入电压范围是否有更好的值? -IVSL (run)= 190 (min)、225 (nom)、275 (max) uA:  

    这取决于您的系统请求。 这3个值用于估算系统混乱生产时的分布。 通常、我们选择计算 R1的典型值、然后将 R1值重新放入计算 Vin (run)范围的公式中。 例如 、通过计算、R1为535K 欧姆(基于85VAC、IVSL=225mA)。 当您的系统投入量产时、启动 Vin 范围为71.1V~103.8V。  

    问题2:

    这是峰值电压(最大峰值电流*电容 ESR +最大稳定状态还是最大稳定状态或最大稳定状态加上一些软糖因子)?

    我不太理解你的问题。 您是否在询问 VOV 的定义?

    IC 感应通过辅助电源供电的输出电压。 Vov 不是稳态的。 这是一个系统故障情况。 例如、如果反馈环路中发生某种情况、使 IC 无法通过 PHOTO 检测 FB 信号、则 FB 变为高电平、并导致输出电压超过12V。 Vov 是保护第二侧组件的最大限制。 即输出电容。 如果输出电容仅为16Vmax、则 VOV 必须小于16V。 但高于12V。

    问题3:

    这是指输入交流整流器二极管电压还是辅助整流器二极管电压?

    VOVP = 4.52 (最小值)、4.36 (标称值)、4.71 (最大值)、

    答案与 IVSL 一类似。 当我们处于设计阶段时、它是相同的概念。

    此致、

    Wesley

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Craig:

    我看到了通知、但您的帖子似乎已删除。 希望您的问题得到解决。  

    如果您遇到帮助、或者您可以打开另一个主题进行进一步讨论、请告诉我。  

    此致。

    Wesley