[参考译文] LM3409HV：意外的第二次 TOFF

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器件型号：LM3409HV
主题中讨论的其他器件： LM3409

您好！

我们正在使用 LM3409HV 实验意外的二次 TOFF。
原理图如下所示、请注意 R3未安装、Rsns=0.3欧姆。
IADJ 引脚被控制为具有350mA 的平均 LED 电流。关断时间如预期的那样大约为500ns、并且电感器纹波电流(大约200mA)高于80mA 的24mV/Rsns 限制。

在示波器图像中、存在数据表第8.3.4章中报告的第二个 TOFF 问题。
请帮我了解为什么会有第二次关闭？

谢谢、
Daniele

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1623435 points

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Daniele、您好！

我将查看第9.1.8节。这看起来不像误差放大器失调电压。这看起来 LM3409是第二次跳变峰值电流感应、这在更大的 MOSFET、高 Vth MOSFET、非肖特基续流二极管或过大的栅极电阻器中很常见。使用的元件似乎不会导致这种情况、但对于所选的 MOSFET、350mA 电流较低、Qgate 接近30nC。您可能能够通过电流感应电阻器看到这一点、以查看它是否在前缘消隐时间(最大值为115ns、211ns)之后达到峰值电流跳变。第二个导通时间看起来大约是最短导通时间(在上面的示波器图片上大约为150ns)。

'当使用 Qg > 30nC 的 PFET 时、旁路电容器(CF)不应连接到 VIN 引脚。这将会
确保通过 RSNS 的峰值电流检测不受 PFET 输入电容充电的影响
这可能会导致峰值检测比较器误触发。相反、CF 应该是
从 VCC 引脚连接到 CSn 引脚、这将导致 VCST 中的较小直流失调电压、最终导致 ILED
但是、它可以避免有问题的误触发。"

此致、

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1623435 points

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您好！

感谢您的及时支持。
您能不能帮助我澄清什么是"前沿消隐时间"？

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1623435 points

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Daniele、您好！

前沿消隐时间、最小导通时间、是为了防止 MOSFET 导通期间由于增加的电流而发生峰值电流跳闸。当 MOSFET 导通时、来自 MOSFET 导通的额外电流将流经电流感应电阻器。

可能导致 LM3409过早触发峰值电流阈值的因素包括：

具有高 Qgate 的大型 MOSFET

具有高 VGS 阈值的 MOSFET

具有硬恢复功能的续流二极管

使 MOSFET 导通延迟超过前沿消隐时间的栅极电阻器

此致、

电源管理（参考译文帖）

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