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[参考译文] BQ25895:BQ25895从 PMID 汲取电流时的巨大压降

Guru**** 2535150 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25895, BQ25895EVM-664

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1043694/bq25895-bq25895-huge-voltage-drop-when-current-is-drawn-from-pmid

器件型号:BQ25895

您好!

在我的测试设置中(BQ25895由电池供电、通过 OTG 引脚上的3.3V 电压启用升压)、当未连接负载时、我从 PMID 引脚获得5.09V 电压。 一旦我将一个2.4欧姆电阻器从 PMID 接地,电压就会下降到2.82V。

电池内部电阻约为75毫欧(我觉得可以)、电池电压本身从3.96V 降至3.63V。 该电路与数据表第49页(第9.2章"典型应用")中的电路基本相同。

根据数据表、它应该能够通过 PMID 引脚(而不是 PMID 引脚)在5V 时提供2.4A 电流。

出现压降的原因可能是什么?如何解决此问题?

下面是 KICAD 原理图的屏幕截图(测试设置中的跳线全部闭合):

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    您好!

    有关 BQ2589X:原理图审阅和 PCB 布局设计提示、请访问 e2e.ti.com/.../faq-bq25890-faq-bq2589x-schematic-review-and-pcb-layout-design-tips; 有关 BQ2589x/BQ25898x 常见问题解答、请访问 e2e.ti.com/.../faq-bq25890-bq2589x-bq25898x-faqs。

    请提供以下内容吗?

    VBUS (VBUS 引脚上的电压)、IVBUS、VBAT (BAT 引脚上的电压)、IBAT、VSYS、ISYS、PMID (PMID 引脚上的电压)、IPMID (PMID 引脚上的实际 OTG 负载)

    所有寄存器读数

    谢谢、

    宁。

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    您好!

    感谢您的回复。 我查看了链接、但找不到问题的原因。

    以下是施加负载(从 PMID 到接地的2.4 Ω 电阻器)前后的测量值:

    VBUS:0V (之前)、2.73V (之后)
    IVBUS:0 (之前和之后、因为仅通过电池供电)
    VBAT:3.95V (前)、3.67V (后)
    IBAT:2.2mA (前)、1A (后)
    VSYS:3.95V (之前)、3.64V (之后)
    PMID:5.09V (前)、2.86V (后)
    IPMID:0 (之前)、0.9A (之后)
    ISYS:我不确定我可以在这里测量的确切值。 除了电容器和连接到 SW 的2.2uH 电感器外、没有连接任何器件。

    应用加载前的寄存器:

    0x0:0x48 0b01001000 72
    0x1:0x5 0b00000101 5.
    0x2:0x3D 0b00111101 61
    0x3:0x3A 0b00111010 58
    0x4:0x20 0b00100000 32
    0x5:0x13 0b00010011 19.
    0x6:0x5E 0b01011110 94
    0x7:0x9D 0b10011101 157
    0x8:0x3 0b00000011 3.
    0x9:0x44 0b01000100 68
    0xA:0x93 0b10011 147
    0xB:0xE2 0b11100010 226
    0xC:0x0 0b00000000 0
    0xD:0x13 0b00010011 19.
    0xE:0x0 0b00000000 0
    0xF:0x0 0b00000000 0
    0x10:0x0 0b00000000 0
    0x11:0x0 0b00000000 0
    0x12:0x0 0b00000000 0
    0x13:0x8 0b00001000 8
    0x14:0x39 0b00111001 57

    应用 加载后的寄存器:

    0x0:0x48 0b01001000 72
    0x1:0x5 0b00000101 5.
    0x2:0x3D 0b00111101 61
    0x3:0x3A 0b00111010 58
    0x4:0x20 0b00100000 32
    0x5:0x13 0b00010011 19.
    0x6:0x5E 0b01011110 94
    0x7:0x9D 0b10011101 157
    0x8:0x3 0b00000011 3.
    0x9:0x44 0b01000100 68
    0xA:0x93 0b10011 147
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    0x12:0x0 0b00000000 0
    0x13:0x8 0b00001000 8
    0x14:0x39 0b00111001 57

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    感谢您的回复。 我查看了链接、但找不到问题的原因。

    以下是施加负载(从 PMID 到接地的2.4 Ω 电阻器)前后的测量值:

    VBUS:0V (之前)、2.73V (之后)
    IVBUS:0 (之前和之后、因为仅通过电池供电)
    VBAT:3.95V (前)、3.67V (后)
    IBAT:2.2mA (前)、1A (后)
    VSYS:3.95V (之前)、3.64V (之后)
    PMID:5.09V (前)、2.86V (后)
    IPMID:0 (之前)、0.9A (之后)
    ISYS:我不确定我可以在这里测量的确切值。 除了电容器和连接到 SW 的2.2uH 电感器外、没有连接任何器件。

    应用加载前的寄存器:

    0x0:0x48 0b01001000 72
    0x1:0x5 0b00000101 5.
    0x2:0x3D 0b00111101 61
    0x3:0x3A 0b00111010 58
    0x4:0x20 0b00100000 32
    0x5:0x13 0b00010011 19.
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    0x8:0x3 0b00000011 3.
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    0x14:0x39 0b00111001 57

    应用 加载后的寄存器:

    0x0:0x48 0b01001000 72
    0x1:0x5 0b00000101 5.
    0x2:0x3D 0b00111101 61
    0x3:0x3A 0b00111010 58
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    0x5:0x13 0b00010011 19.
    0x6:0x5E 0b01011110 94
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    0x14:0x39 0b00111001 57

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    我们将在下一个工作日进行检查。

    谢谢、

    宁。

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    您好!

    有新消息吗?

    如果有用、下面是布局的屏幕截图、粗布线为0.5mm、细布线为0.25mm、接地层为可读性而禁用:

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    您好!

    首先进行一些研究。 有关 布局示例、请访问 www.ti.com/.../BQ25895EVM-664; 有关 详细布局指南、请访问 e2e.ti.com/.../bq25895-4-layers-board-review---agnd-gnd-and-power-planes。

    谢谢、

    宁。

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    您好!

    请检查输入源是否过载。

    谢谢、

    宁。

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    您好!

    我们有一段时间没有听到您的声音。 该线程被视为已解析和已关闭。

    谢谢、

    宁。