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器件型号：LM5121-Q1 主题中讨论的其他器件：LM5121、 LM2766
我想将断开 FET 用作输入电容的浪涌限制器。 这意味着 FET 将位于输入电容器和 Vin/CSCP 连接之前。 这是否起作用、是否可以使其工作(使用附加电路)？ 
感谢您的快速响应。 我应该在描述中更加清楚。
我打算放置一个串联电阻器来为输入电容器预充电、因此 IC 实际上会通电、但不会运行、因为 UVLO 将保持待机状态。 将会有一个外部 uC 来监控许多电压和电流、因此 uC 将知道输入电容器已充电。 IC 将通电、但不消耗太多电流、因此预充电电阻器上的压降不会 产生太大的压降。 我在数据表中看到的图37和38使用 DG 和 DS 引脚来支持用于反向电池保护的外部 FET。 我最初没有考虑过电池反向保护、但这是一个有趣的补充。 可以使用附加的 NMOS 器件来增强图38、以提供电池反向保护功能和浪涌限制器旁路功能。 R1允许输入电容器以合理的速率(100至500欧姆电阻器)充电。 然后、当5121准备好激活时、FET 将绕过电阻器、并使用大约5至10m Ω 的导通电阻将电容连接到输入端。 当 FET 导通时、电阻器上几乎没有电压。 我意识到，当激活“断开功能”时，R1仍会为 IC 提供一些电源，但通过外部 UVLO 控制，该器件可以处于待机或关断状态。 该概念的方框图如下所示。 这是否可以使用图 38作为起点？
我无法使浪涌/极性保护电路正常工作。 
我意识到我需要添加一个与源极串联的二极管(如绿点所示)、以防止栅极-源极结击破(最大20V)。 我已经验证过、如果我从5121上断开电源并提供一个外部电源来提供-10V 偏置(Vgs)、那么电路将正常工作。 我可以通过控制 P-MOS FET 来打开和关闭两个 N-MOS FET。 但是、即使电源从5121断开、电荷泵也不会为电源提供正电压。 我测量的电压比 Vin 低大约8伏、我预计它至少比 Vin 高10V。 我已将一个100pF 电容从 DG 连接到 DS、并将一个499K 电阻从 DS 连接到接地、如该规范的图38所示。 我使用 UVLO 功能来管理浪涌状态。 我将 UVLO 拉至接地以将5121置于关断模式、而浪涌电路允许输入电容器通过极性保护二极管和499欧姆电阻器进行充电。 当系统准备好启动5121时、将移除接地端以允许转换器启动。 (至少这是计划) 、但电荷泵没有达到我认为的效果。 您能看到我出了什么问题吗？
谢谢。
您好 Dan，
这似乎是一个非常有趣的现象。 器 件的 Vin 似乎大幅下降、DG 引脚是 Vin 电压的偏置电压。 Vin 引脚电压低于输入电压，Ω、因此 DG 可能无法打开 MOS。
为什么电容压降？μ F 是升压输出？的负载、或者您可以将 R18值降低？μ F
BR Dehuan