主题中讨论的其他器件: LMG1205
您好!
我们尝试使用 LMG1205HBEVM 评估板放大正弦波 PWM (由 TMS570生成)。
我们注意到默认 EVM 板在测试该值时出现异常高的电流。
为了尝试确定原因、我们首先进行了将函数发生器直接连接到 EVM 板的参考测试:
- 频率= 1MHz、振幅= 3.3V。
占空比从20%更改为80%
- 直流总线电压= 12伏
- 未连接负载
- 死区时间(8ns)=正常
- 结果:测试点 TP12上的信号= OK
- 结果:12V 直流电源输出的电流为25mA。
因此、在本首次测试中、功耗与预期的相同。
然后、我们对 TMS570生成的正弦波 PWM 进行了测试:
- 连接的信号
- PWM 频率= 1MHz
- 占空比:生成21.2kHz 正弦频率的模式。
- 未连接负载
- 死区时间(8ns)=正常
下面是第二个测试的一些屏幕截图:
黄色信号=在 LO (TP11)上测量
图1:PWM 频率= 1MHz、用于构建正弦波
黄色信号=在 LO (TP11)上测量
绿色信号=在 HO (TP3)上测得
图2:LO-HO (具有调制 PWM)之间的死区时间
黄色信号=在 LO (TP11)上测量
绿色信号=在 HS (TP12)上测量
图3:输出结果
问题:
- 这里我们注意到、生成正弦信号所需的电流大于3.1A、其起始电压为12V 直流。 产生这种高电流消耗的原因是什么?
- 我们如何解决这个问题?
- 为什么当低侧 GaN FET 栅极信号保持高电平时正弦波会中断?
感谢您的任何帮助。
此致、
Geert Jacobs