• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 个回复 9 个回复
  • 名订阅用户 0 名订阅用户
  • 次查看 290 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS51116：请查看 DDR PMIC 原理图设计。

admin
Guru**** 1821780 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS51116, CSD87355Q5D
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1045483/tps51116-ddr-pmic-schematic-design-review-please

器件型号：TPS51116
主题中讨论的其他器件： CSD87355Q5D

e2e.ti.com/.../TPS5116.pdf

你(们)好

我使用 TPS51116设计了 DDR 电源。

FET 使用了 BSC0921NDIATMA1、与 TI 的 CSD87355Q5D 产品交叉参考。

我使用了一个小型电感器、因为电路板上没有太多空间。

我使用了 ASPIIG-F4020-R22M-T 并具有以下规格。

ASPIIG-F4020-R22M-T
电感：220nH
容差：20%
电流：16.8A
当前 SAT：18.8A
DCR：4.6mR

我想知道当电路按这种方式配置时、是否会出现任何问题。

例如、电容容量或频率设置

然后、请检查可能的情况。

此致

kyu

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    我将于明天10月19日审阅原理图并发表我的评论。

    此致

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    我检查了原理图。 使用220nH 输出电感器时、峰峰值电流纹波为12A、在时、DCM 至 CCM 边界为6A 负载电流。

    我有2个问题：

    1 -电流跳变电阻器的值是多少？ 是5.1欧姆吗？

    2 -什么是功率 FET 导通电阻？

    此致

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    1 -电流跳变电阻器的值是多少？ 是5.1欧姆吗？
    我不是专业的电源设计人员、TI webench 不支持 TPS51116。
    我查阅了数据表和参考原理图。
    考虑到电路板上的空间、我更改了输出电容器、电感器和 FET。
    对于5.1欧姆电阻器、请使用1/10W 产品。

    2 -什么是功率 FET 导通电阻？
    我将附上数据表

    原理图中的当前符号是页面图案厚度的参考。

    也许我不理解、因为我英语不太好。
    如果您询问更多详细信息、我将尽可能为您提供更多信息。

    此致

    kyu

    e2e.ti.com/.../TPS51116_5F00_BASE_5F00_APPLICATION.pdfe2e.ti.com/.../BSC0921_5F00_NDI.pdf

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、kyu、

    没问题、我将查看功率 FET 数据表并对您的原理图进行评论。 VDDQ_1V2负载电流的最大值是多少？ 原理图显示了15A。 它是最大电流吗？ LDO VTT_0V6上的最大负载是多少？

    此致

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Thaks, Harmouch


    我认为 VDDQ 将使用高达8~10A 的电流。 因此、我认为它应该限制为最大15A
    我们将使用 DDR4、因此 VDDQ 为1.2V、VTT 为0.6V。
    我认为 LDO VTT 将使用大约0.7A。 因此、预计最大值为1-1.2A。

    此致

    kyu

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好

    感谢您提供电流。 我们将在 FET 上向您回复。

    此致

    Yihe

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、kyu、

    我查看了设计和功率 FET 数据表。 负载电流为15A (最大值)时的峰值电流、电感器峰值电流为21A。  FET 导通电阻为 5m Ω(典型值)跳闸电阻。 保护电流应设置为高于21A。 使用此公式计算跳闸电阻器 Rtrip。

     

    跳闸电压高于15A x Rds/on = 15A x 5m Ω= 75mV

    从 CS 引脚连接到5V 的电阻应高于75mV/10uA = 7.5k Ω。  

    在您的设计中、电阻器为5.1欧姆、应至少更改为7.5K。 此外、最好添加与 RTrip 并联的小电容、即1nF。

    我认为此主题已解决、但请告知我进一步的支持。

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好  Harmouch

    我出差的时候很忙、所以我刚刚检查了一下。
    如果没有其他问题、我将在明天检查并将状态更改为"已解决问题"。

    此致

    kyu

  • 0
    TI__Guru**** 1821780 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢你的善意帮助。 )