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[参考译文] TPS2492:Vgate 拉电流和启动

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2492EVM-003, CSD16401Q5
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1047689/tps2492-vgate-source-current-and-start-up

器件型号:TPS2492
主题中讨论的其他器件: CSD16401Q5

您好!

我一直在使用 TPS2492EVM-003、并探讨了在栅极上放置和额外 RC 以获得软启动的选项(位置 R11和 C4)。 如数据表中建议的那样、R11为1k。 在用户指南中、它们给出了一个39nF 电容器如何导致24ms 启动时间或0.62ms/nF 的示例。 但是、我测量的实际值为1.63ms/nF (即22nF 电容器为36ms、100nF 电容器为150ms)。 这表明栅极拉电流为8.3uA、远低于数据表中给出的值。 这里的数据表是错误的吗?

我添加了使用启用/禁用开关在28V (我已在 EVM 上调整了 UVLO 和 OV)上启动的示波器图片。 CH1 =输入电压、CH2 =输出电压、CH3 =栅极电压、以显示上升时间较慢。 在此测量中、C4上放置了22nF 电容。

  

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    尊敬的 Jeff:

    感谢您的支持!

     输出电压压压摆率= Vout/dt = Isource/Cgate

    为了提高精度、我们需要在计算中添加 MOSFET 的栅极电容

    22nF 的情况

    Vout/dt = 28V/36ms = Isource/Cgate = 22uA/Cgate => Cgate = 28nF  

    EVM 具有两个 CSD16401Q5 MOSFET、每个 MOSFET 的 Ciss 为3nF。 因此、Cgate = 22nF + 3nF + 3nF = 28nF

    请立即检查它是否匹配并告知我。

    最佳 Regars、Rakesh

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    您好、Rakesh、

    您是否需要使用 Vgs 或 Vout 进行计算? EVM 用户指南显示 Vgs、数据表显示 Vout。

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    尊敬的 Jeff:

    这两种情况都是相同的、因为我们正在考虑上升压摆率。 我是说 dVout/dt = dVgate/dt

    最佳 Regars、Rakesh