主题中讨论的其他器件: LM5060-Q1、 LM5060
您好!
我对 LM9061有几个问题:
1.静态电流对于我的应用来说太高(关断时为5mA)。 我能否在首先发出 OFF 命令后断开器件电源、这是否仍能提供基本上为零 Iq 的双向阻断?
2.使用背对背 MOSFET 时,是否仍可以并联多个 FET? 栅极电阻器等是否存在任何注意事项?
感谢任何帮助。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
我对 LM9061有几个问题:
1.静态电流对于我的应用来说太高(关断时为5mA)。 我能否在首先发出 OFF 命令后断开器件电源、这是否仍能提供基本上为零 Iq 的双向阻断?
2.使用背对背 MOSFET 时,是否仍可以并联多个 FET? 栅极电阻器等是否存在任何注意事项?
感谢任何帮助。
您好、Rakesh、
感谢您的快速响应。 我的应用是针对12伏系统提供反向电池保护和断开开关、最大负载为100A。 它不受 PWM 影响、因为它主要是静态应用。 Iq 需要尽可能低、理想情况下小于50uA、因为不活动时间会延长。 数据表最大的卖点在于 LM9061能够驱动多个并联的 MOSFET、因此我想了解您为什么需要更好的选择。
TI 的电子保险丝参考设计(TIDUBK1B)具有满足我的需求的双向开关、它允许在导通状态下进行双向电流流动、在关断状态下进行双向阻断。 如果可能、我想在类似的拓扑中找到一种使用 N 沟道 MOSFET 代替 P 沟道的方法。
此致