[参考译文] BQ76942：电压栅校准-增益和偏移单元

文档参考：

BQ769x2校准和 OTP 编程指南(修订版 A)


《BQ76942技术参考手册》(修订版 A)(TI.com)

你好！

感谢 Matt 的输入！

关于问题2：)  

我们提出这一要求是因为技术参考手册建议输入应为 CV。

我们编写此代码是因为我们得到的值超出范围。在公式中、我们使用以下值作为输入：

Voltage1 = 20000mV

Voltage2 = 17500mV

ADC 计数 V1 = 3853 (从 READ_CAL1读取的平均值)

ADC 计数 V2 = 3370 (  从 READ_CAL1读取的平均值)

公式变为：

TOS 增益= 2^16*(20000-17500)/(3853-3370)= 2^16 (2500/ 483)= 2^16 *(5.175...)  

 它超出校准：电压：TOS 增益寄存器的 UINT16范围。 如果使用 CV、我们将有一个介于0和1之间的值与2^16 ->相乘、该值将在 uint16范围内。 (遗憾的是、这仍然会在校准序列后提供不良的读数)。

编辑：您能不能发现此计算中出现的不按顺序的情况吗？

简短的单独说明：

而 我在 线上有了 BQ769x2校准和 OTP 编程指南(修订版 A)的 Guru 和作者。 在进行电流计算时-我们在找到这句话时遇到了巨大的问题，该句子涉及到 READ_CAL1在 CC2Counts 中使用的字节，因为文档中的其他地方没有提到：

最好在技术参考文档中稍微强调或提及该部分。 (它是否与适用于 READ_CAL1的电压寄存器的类似？)

此致

/Erik Almqvist

您好 Erik、

很抱歉，对于问题2，我在对你的回答中犯了一个错误。 计算结果应以伏特为单位。 在应用手册的示例代码中、我看到了4200-2500用于此计算、我认为这是以 mV 为单位的、但这是堆叠电压、对于本示例为10节电池、因此它是42000mV 和25000mV。  

感谢您提供有关 READ_CAL1 ()寄存器的 CC2计数的注释。 我将把这一信息传递给 TRM 的文档所有者、以便我们在下一个修订中更清楚地说明这一点。

此致、

Matt

再次感谢 Matt 的回复！

我 很显然、我想直线方程有一些问题... 所以、我理解它是正确的：

我们使用的是 mV 的 userV。 那么、我们应该在增益计算中使用 CV、然后应用 mV 的 VDIV 偏移公式？ 还是应在计算后转换为 userV？

数字示例：

Voltage1 = 17500mV

Voltage2 = 20000mV

ADC 计数 V1 = 3370 (从 READ_CAL1读取的平均值)

ADC 计数 V2 = 3853 (  从 READ_CAL1读取的平均值)

公式变为：

TOS 增益= 2^16*(2000-1750)/(3853-3370)= 2^16 (250 / 483)= 2^16 *(0.5175...) = 33915

VDiv ~=(33915 * 3370 / 2^16)- 17500 μ s = 1744 - 17500 =-15756       <--感觉不对

感觉它应该接近0。 如果我们在上面的 Vdiv 偏移方程中有 CV -我们将有1743-1750、如果我们将 CV 设为-6  、这在 VDiv 偏移默认为零的情况下感觉是可以的。  

或者，我们是否应该在 CV (1744-1750 =-6)中针对 umla 进行 VDiv 偏移计算，然后在存储到 userV 之前将此结果转换为 mV (-6 *10 = 60)？

此致

Erik Almqvist

感谢 Matt 的支持！ 非常感谢！

此致

/Erik