This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1043831/lm25180-reproduce-maximum-and-minimum-critical-device
大家好、
我的客户需要使用器件对电路板进行测试、该器件具有最小和最大 ISW-PEAK (峰值电流阈值)的关键特性、但我们无法提供这些特定的样片。
如果可能、您能否建议您通过更改外部组件或修改某些计算来重现此类关键特性？ 我认为 ISW-PEAK 取决于内部 MOSFET 和基准电压、这些值无法更改。
此致、 Kazuto
您好、Kazuto、
对于固定设计和应用条件、峰值电流仅影响输出负载电流能力、可根据 ISW-pk 值进行估算。
B R
Andy
尊敬的 Andy：
我的客户希望重现两种临界情况模式、第一种是 ISW-PEAK、最大为2.65A、第二种是最小为2.2A。
我有一个想法、就是在热浴中测试电路板、然后控制温度-40C 至150C、但我不确定外部组件是否能够准确承受和重现关键条件。 你怎么看？
否则、如果我们可以通过其他方式控制电流限制阈值。 是否有任何控制方法？
对于 LM25180、ISW pk_min 为1、23A、Max 为1.73A。 该限值随温度的变化很小。
似乎无法通过外部组件控制限制。
您好、Andy、好的、明白了。 感谢您的支持！
