[参考译文] UCC21710：UCC21710的消隐时间

您好 Vijaymahantesh ，

[引用 userid="466264" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1044025/ucc21710-blanking-time-for-ucc21710 "]我有一个问题，我是否可以添加 R13和 D8以缩短消隐时间？ 是否建议对 UCC21710使用 R13和 D8？ (设计的电路板实际上也可用于 UCC21750、因此我们保留了 R13和 D8)。 如果可以使用 R13和 D8、如何继续获取消隐时间？ 还是仅建议更改  R17、R18、R19和 C23的值以调整消隐时间[/报价]

您可以添加 R13/C8以缩短消隐时间

但我建议  只减小 R17的值、而不是将其连接到 VDD、而是将其连接到 OUTH、无论是否使用二极管。  

您还无需在二极管后面使用1k 电阻器、也无需齐纳二极管。  

由于 OC 设计的性质、您可以任意将 DESAT 阈值设置为所需的任何值(只要大于0.7V)、因此您实际上不需要在该处使用齐纳二极管。

 如果没有二极管、DESAT 阈值约为5V。 如果您需要进一步减小、我建议仅更改电阻器值、以实现可提供 所需阈值的所需比率。  

[引用 userid="466264" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1044025/ucc21710-blanking-time-for-ucc21710 ]]因此最好将消隐时间保持在200ns 或更短？

如果没有 R13/D8、 我计算出的消隐时间为~350ns

~200ns 即可。 主要原因是对于 SiC、您希望总检测时间小于=1us、因为它们不能抵抗短路。 另一方面、较短的时间可能会导致误报检测、但200ns 可能不会导致问题。  

如果在测试期间发现误报检测、只需将 CBLK 值从220pF 增加到更高的值、这不会改变阈值。  

如果这回答了您的问题、请按下绿色按钮让我知道。  

最好

Dimitri

Vijaymahantesh 、  

我还想指出的是、我们有一个计算器工具专门用于 OC、即 DESAT 配置。 我不确定您以前是否使用过它、但它使得计算 blk 时间和 DESAT 阈值非常快。 链接在下方、以满足您的需求

https://www.ti.com/lit/zip/sluc695

最好

Dimitri

尊敬的 Vijaymahantesh：  

您可以连接 OUTH 或 VDD。 如果您使用一个连接到 OUTH 的二极管、这会节省一些功耗、因为充电电流仅在输出为高电平时发生。 当驱动器输出为低电平时、二极管反向偏置且充电电流停止。  

[引用 userid="466264" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1044025/ucc21710-blanking-time-for-ucc21710/3862594 #3862594"]由于我们已经将电路板的一端连接到 VDD、这是否会导致任何问题？

使用 VDD 或 OUTH 提供充电电流不会有任何问题。

[引用 userid="466264" URL"~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1044025/ucc21710-blanking-time-for-ucc21710/3862594 #3862594"]是否只有通过增加 CBLK 值、我们才能减少误跳闸的发生？因为我认为无法继续提高 CBLK 的值

增大 CBLK 将增加消隐时间、但具有较大容值的电容还具有增强的抗扰性、可防止开关瞬变通过 HV 阻断二极管耦合。 根据我们为防止损坏 SiC FET 所需实现的关断检测时间、我们确实有一个上限、以确定我们可以具有多大的消隐时间。 SiC FET 只能承受1-2us 短路情况。  

由于使用较大的消隐电容器可实现抗噪性能、因此我们可以选择较大的电容器、然后通过增大充电电流(更改电阻器值)进行补偿。 这样、我们就可以使用大电容器实现较短的时间。  实际上、对于具有 DESAT 引脚的器件、例如 UCC21750、我们建议这样做

UCC21710的另一个控制方法是更改检测阈值、这是通过调整电阻器比率来实现的。 如果我们降低了检测阈值、它会更早地开始为消隐电容器充电。 对于 SiC FET、您的检测阈值是可以接受的。 还有一个折衷方案。 我们可以 通过降低阈值来提前开始检测过程、或通过增大阈值来稍后开始检测过程、我们可以通过增加或减少消隐时间来进行补偿、以防止误报。 如果不对电路进行物理测试、则很难预测所需的抗噪程度、因为仿真无法有效预测这种情况。  

如果您的问题得到了解答、请按绿色按钮告知我

最好

Dimitri  

再想一想、我认为您不能像原理图中那样使用 R13和 D8。 它似乎会破坏电路的功能。  

您肯定不能同时使用 R13和 R17、因为这样做会持续为消隐电容器充电。

如果要使用 R13和 D3、则需要像图中的 R1那样进行连接、它应直接连接到二极管的阳极或与二极管串联的1k 电阻器。  

但是、如果您已经将具有 R17封装的 PCB 连接到 VDD、我认为最好坚持使用这些 PCB。  

我建议将电路/PCB 保持原样、只需将所需的电阻器值交换为 R17即可。  

如果您的问题得到了解答、请按 绿色按钮告知我

最好

Dimitri