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[参考译文] 需要充电放电 MOSFET 和驱动器电路

Guru**** 2516180 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD13380F3, CSD83325L

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1042333/need-charge-discharge-mosfet-and-driver-circuit

主题中讨论的其他器件:CSD13380F3CSD83325L

你好!

我正在设计 BMS 设计以用于研究目的。 因此、我无法解释整个想法、但我需要控制单节锂离子电池的充电和放电。  

为此、我需要添加具有1A 最大额定电流的单节电池的充电放电 MOSFET。 我还需要一些 MOSFET 建议和它们的驱动器电路、以便我应该通过微控制器对它们进行控制。 现在、我可以找到一些 BMS 芯片来实现此功能、但我不需要 BMS 芯片、因为我只需要通过微控制器控制充电放电。

我希望我能听到您的反馈。

谢谢你

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Dania、

    感谢您关注 TI FET。 大多数 BMS 控制器使用 N 沟道器件来实现充电和放电 FET、并包含驱动器电路。 高侧充电/放电 FET 面临的挑战是将栅极驱动至高于电池电压的水平、以确保 FET 完全增强。 大多数 BMS 控制器包含电荷泵电路、用于生成驱动 FET 所需的电压。 对于单节电池、1A 最大电流、我建议使用 CSD83325L、这是一款12V 双路共漏极 FET。 您还可以考虑单个 FET、例如12V、CSD13380F3。 它们都采用非常小的封装、并且应该能够处理1A 的电流。 您需要提供至少比电池电压高2.5V (单个器件为1.8V)的栅极电压。 TI 还有许多其他器件可以在该应用中工作。

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用

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    尊敬的 John:

    感谢您的建议。 那么、如果我使用 CSD83325L、那么以下电路是否正确处理电池的充电放电? 如果我在电池的低侧使用它, MIC4423YM-TR 驱动器可以适合我的应用?  

    很抱歉、我问了太多详细信息、实际上我是嵌入式系统工程师、对电力电子技术的了解更少。  

    非常感谢您的帮助。

    谢谢


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    您好、Dania、

    您可以在低侧使用此双 FET、但您很可能会打开接地(BAT-)连接。 因此、大多数 TI BMS 控制器使用高侧 CHG/DSG FET。 它确实简化了驱动方案、因为您可以使用您选择的低侧驱动器。 我们始终建议使用栅源极电阻器(100k 至10M)、以确保栅极不会浮动、并意外导通 FET。 以下链接显示了电池应用中使用的这种 FET 和类似双 FET 的几个示例。

    https://www.ti.com/lit/ug/sluubp4/sluubp4.pdf

    https://www.ti.com/lit/df/tidrk16/tidrk16.pdf

    此致、

    John