你好!
我正在设计 BMS 设计以用于研究目的。 因此、我无法解释整个想法、但我需要控制单节锂离子电池的充电和放电。
为此、我需要添加具有1A 最大额定电流的单节电池的充电放电 MOSFET。 我还需要一些 MOSFET 建议和它们的驱动器电路、以便我应该通过微控制器对它们进行控制。 现在、我可以找到一些 BMS 芯片来实现此功能、但我不需要 BMS 芯片、因为我只需要通过微控制器控制充电放电。
我希望我能听到您的反馈。
谢谢你
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我正在设计 BMS 设计以用于研究目的。 因此、我无法解释整个想法、但我需要控制单节锂离子电池的充电和放电。
为此、我需要添加具有1A 最大额定电流的单节电池的充电放电 MOSFET。 我还需要一些 MOSFET 建议和它们的驱动器电路、以便我应该通过微控制器对它们进行控制。 现在、我可以找到一些 BMS 芯片来实现此功能、但我不需要 BMS 芯片、因为我只需要通过微控制器控制充电放电。
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您好 Dania、
感谢您关注 TI FET。 大多数 BMS 控制器使用 N 沟道器件来实现充电和放电 FET、并包含驱动器电路。 高侧充电/放电 FET 面临的挑战是将栅极驱动至高于电池电压的水平、以确保 FET 完全增强。 大多数 BMS 控制器包含电荷泵电路、用于生成驱动 FET 所需的电压。 对于单节电池、1A 最大电流、我建议使用 CSD83325L、这是一款12V 双路共漏极 FET。 您还可以考虑单个 FET、例如12V、CSD13380F3。 它们都采用非常小的封装、并且应该能够处理1A 的电流。 您需要提供至少比电池电压高2.5V (单个器件为1.8V)的栅极电压。 TI 还有许多其他器件可以在该应用中工作。
此致、
John Wallace
TI FET 应用
您好、Dania、
您可以在低侧使用此双 FET、但您很可能会打开接地(BAT-)连接。 因此、大多数 TI BMS 控制器使用高侧 CHG/DSG FET。 它确实简化了驱动方案、因为您可以使用您选择的低侧驱动器。 我们始终建议使用栅源极电阻器(100k 至10M)、以确保栅极不会浮动、并意外导通 FET。 以下链接显示了电池应用中使用的这种 FET 和类似双 FET 的几个示例。
https://www.ti.com/lit/ug/sluubp4/sluubp4.pdf
https://www.ti.com/lit/df/tidrk16/tidrk16.pdf
此致、
John