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[参考译文] CSD23381F4：技术规格检查

admin
Guru**** 2380580 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD23381F4, CSD23382F4
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1041596/csd23381f4-spec-check

器件型号：CSD23381F4
主题中讨论的其他器件： CSD23382F4

你(们)好

如下图所示、请帮助确认该栅极在此条件下提供2.8V~4.2V 电压、以及 Vd-0V、Vs-0V (电源关闭)电压。 Q9是 PIN2 A 栅极保护二极管的0.56v 源极吗？ 如果是、因为我们需要此状态下的 Vs 为0V、那么是否有任何其他 P-MOSFET 模型可以替代 CSD2338F4。

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    TI__Guru**** 2380580 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Gareth、

    感谢您关注 TI FET。 CSD23381F4包括从栅极到源极的单端 ESD 保护二极管、当栅极电压高于源极电压时、该二极管可正向偏置。 另一种选择是 CSD23382F4、后者具有相同封装和引脚排列的背靠背 ESD 栅极保护结构。 请注意、B2B ESD 保护的泄漏比单端高、但会在栅极电压高于源极时阻止。 要了解有关 TI FET 中 ESD 保护的更多信息、请参阅以下链接中的技术文章。

    https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2020/06/22/what-type-of-esd-protection-does-your-mosfet-include

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用