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[参考译文] BQ25710：LDO 模式和预充电

admin
Guru**** 2526700 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25710

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1041448/bq25710-ldo-mode-and-precharge

器件型号：BQ25710

您好、sirs、

我很好奇、为什么 BQ25710在 VBAT 低于 VSYS 时进入 LDO 模式、min 进行预充电、而不是仅完全开启 BATFET？

在这种情况下是否完全打开意味着 VSYS 将低于 VSYS，min？  

2.这是否意味着在 LDO 模式下、BATDRV 电压将是 VSYS 和 VSYS-10以外的值？  如果是、会是什么？

此致、

Fred

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    TI__Guru**** 2526700 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Fred、

    当 VBAT 低于 VSYS_MIN 时、它会进入 LDO 模式、因为如果不是、则不会调节 VSYS。 例如、如果 MOSFET 完全导通、则 VSYS 电压将只是 MOSFET 的电池电压+ VDS、并且不会被稳压至超过许多应用中所需的最小系统值。

    具体取决于您的工作条件。 但是的，它不会完全或完全打开。

    谢谢、我希望这对您有所帮助、

    Peng

    *如果我的答案 令人满意，请在主题中按“此已解决的我的问题”