[参考译文] CSD17559Q5：CSD17559Q5 30V N 沟道 NexFET™︎ Ω 功率 MOSFET

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Other Parts Discussed in Thread: CSD17573Q5B, CSD17559Q5

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器件型号：CSD17559Q5
主题中讨论的其他器件：CSD17573Q5B、

您好！

是否有通过体二极管的压降规格？如果没有、如何计算？

谢谢、

Tim

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1815690 points

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Tim、您好！

感谢您关注 TI FET。在数据表中、当 ISD = 40A 且 T = 25°C 时、体二极管正向电压的额定电压为0.8V 典型值、最大值为1.0V 数据表图9中还显示了 TC = 25°C 和125°C 时的典型 VSD 与 ISD 曲线。 CSD17559Q5是一款较旧的器件。我们拥有一款更新、更具成本效益的 CSD17573Q5B、采用尺寸相同且封装兼容的器件。请告诉我是否可以提供进一步的帮助。

此致、

John Wallace

TI FET 应用

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1815690 points

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尊敬的 John：

感谢您指出新器件 CSD17573Q5B、它是一款可供使用且具有成本效益的好得多的器件。

例如、如果我并联使用其中4个、则 ID (持续漏极电流)将约为172A (每个4个43A)、对吧？

谢谢、

Tim

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 1815690 points

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您好、Tim、

再次感谢您关注 TI FET。数据表中指定的最大持续漏极电流使用 FET 的环境温度(25°C)和最高结温(150°C)、结至环境热阻(40°C/W)和导通电阻(TJ = 150°C 时)进行计算。有关 TI 如何在数据表中规范最大电流的更多详细信息、请参阅以下链接。实际电流能力取决于 PCB 布局和层叠、环境温度和最高工作结温(降额通常低于150°C)。例如、如果 TA = 55°C 且 TJ = 125°C、则最大电流降至32A。通过良好的布局、您可以实现大约20°C/W 的有效 Rθja μ W、从而在相同的热条件下将最大持续电流增加到44.5A。另一个注意事项是确保 FET 在数据表图10所示的 SOA 限制范围内运行。当 FET 用于热插拔、电池管理和 OR'ing 应用时、这主要是一个问题、在这些应用中、FET 控制打开和/或关闭时的电流。

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/understanding-mosfet-data-sheets-part-3

https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/posts/understanding-mosfet-data-sheets-part-4-mosfet-switching-times

请告诉我是否可以提供进一步的帮助。

谢谢、

John

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] CSD17559Q5：CSD17559Q5 30V N 沟道 NexFET™︎ Ω 功率 MOSFET