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器件型号：LM5069 你(们)好
过去几年、我们的产品中的 LM5069浪涌和反向电压保护电路正常工作、但由于器件短缺、我们不得不更换 MOSFET。
我们 使用双 N MOSFET、因为我们在应用手册中有2个用于反向电压保护。
对于原始 MOSFET NVMFD6H846NL、它的工作状态良好、但替换(IPG16N10S4-61)后、我们会在输出、栅极和电流上产生振荡。
在连接200uF 负载的情况下、新电路在低于25V 的电压下导通、但除非移除负载、否则不超过25V。
更新 Rpwr 和 Ctimer 似乎不会更改25V 的工作阈值
图像：原始设计、按预期工作
蓝色：输出电压、黄色：计时器、紫色：电流
下面：使用新的 MOSFET 时、它会导通、但振荡频率为180Mhz
我们想知道电流感应控制环路中是否存在问题、以及新 MOSFET 中是否有任何规格可以指示我们如何解决此问题。
