[参考译文] LM3421：能够#39；t 达到所需的电流

纪尧姆

由于这是高功率和高频率...您还能给我一个设计布局吗？   

谢谢 Tuan

尊敬的 Tuan：

您可以从 https://we.tl/t-9YEEAaKz3Z 下载布局。

谢谢

纪尧姆。

您好 Guillaume、

感谢您的回答。 Tuan 本周外出、但下周回来后、他将回到这个布局上。

谢谢、

Caroline

您好 Guillaume、

您将在什么输入电压下测试该器件？

输入电压范围为16V 至48V、3.6A 时的输出高达38V。  作为降压/升压转换器、当 MOSFET 导通时、16V 时的 MOSFET 电流将超过12A (不包括效率)。  您是否已经完成了此设计的设计计算？  Rilim 需要低得多。  此外、在此功率级别和开关频率下、必须使用足够的散热和器件选择来正确处理相当多的功率损耗。  由于磁芯损耗和高电流、电感器也可能存在损耗问题。

此致、

您好、Irwin、

标称电压和我用于测试的电压为24V。 对于低于此值的电压、将存在固件限制、因此请考虑将24V 作为输入电压。

要计算元件值、我使用上一个 LM3421数据表(修订版 G)中的"9.2.1基本拓扑原理图"建议。 从这里、我制作了用于计算的 Excel 工作簿： https://we.tl/t-u5z8Qwd94S。

我根据 scr_Lim 中的电流重新计算(不使用数据表公式)、找到的值与大约8A 相同。 这可能是一个大错误或被误解、太大了、我看不到它。 可能我使用的电感过高、因此获得过低的 Δ_I_L 以正确检测(Δ_I_L = 440mA、而 R_LIM 平均电流持续时间 T_ON)。

散热对我来说不是问题、因为全球系统是水冷式的。 Coilcraft 仿真器为我提供电感值= 25µh μ H、损耗可在10A 时接受。

感谢你的帮助。

大家好、Irwin、

您写道" 16V 时的 MOSFET 电流将超过12A"。 这让我很麻烦。 根据降压/升压拓扑的数据表建议(9.2.1基本拓扑原理图) 、当 Vin=16V 时、我得到 D_max=0.704。 因此 Q1中的 IT_max 将为 D_max/(1-D_max)*ILE=8.6A。  

如何计算12A？

谢谢。