主题中讨论的其他器件: CSD16340Q3、 TPS56628
您好、TI 专家、
自去年以来、我的客户生产了自己的产品、最近他们在这一领域遇到了问题。
实际上、我们没有在开发阶段检查原理图。
故障是器件运行期间 Q1 FET 的死区。 请先检查原理图。
与 EVM 相比、我发现了一些差异。
- EVM 中的 FET 为 CSD16401Q5A、客户的原理图为 CSD15340Q3。 它们具有漏源导通电阻差异。 我听说它会导致发热问题。 请确认这是此失败的原因。
(它们在最大 SOA 方面也有差异。)
-客户不要在输入、输出和 FET_G-S 上插入二极管 尤其是几个 E2E 线程、强烈建议在 FET_G-S 上插入齐纳二极管 请确认这一点、如果可能、请确认其他二极管。
如果您发现此故障的任何可能性,请告诉我。
此致、
Chase