[参考译文] UCC24612：UCC24612 -用于交流至直流反激式电源

您好、Hkul、

感谢您关注 UCC24612 SR 控制器。  

首次启动时、SR 控制器没有偏置电压、因此 SR FET 保持关断状态。  所有电流都流经其体二极管。
输出电容器从0V 开始星形、转换器的全电流能力(10A+)用于为其充电、最高可达30V。

在负载下启动时、负载电流会"降低"部分充电电流、 提高输出电容电压需要更长时间。 在输出电压为30V 的14V 偏置绕组中、SR 控制器在 Vout 达到大约9.6V 之前不会达到其4.5V 的 VDD 导通阈值。  直到那时 SR FET 保持关闭、并且体二极管电流加热结温。  

如果 SR FET 的散热仅针对导通状态耗散进行调整、则 Tj 可能上升到足以损坏 FET 并将其短路。
它可能会损坏它、同时也会损坏连接到它的 SR 控制器。  最后、当 SR FET 短路时、初级侧 FET 上存在短路应力、如果电流限制不够快、该 FET 也可能会发生故障。

如果预载 从10A 启动电流中移除1.5A 或3A、则剩余的8.5A 或7A 仍应为 Cout 充电、但速率较低。
充电时间可能会增加33%。  这似乎不会比 SR-FET 上的时间或发热多得多。

但请检查您的有源负载、以确保每个负载的电流真正为3A。 一些有源负载无法调节恒定电流、除非输出上已经有一些电压、可能为1~3V。  在此之前、电流可能会高得多。  如果预载"降低"大部分或全部电容充电电流、则可能需要太多的时间来为电容充电、并且最大电流持续流经体二极管、从而导致过热和损坏。  这就是我认为正在发生的情况。   

当您在没有预加载的情况下启动时、Cout 可以快速充电、SR 控制器偏置打开、并且在施加负载后、SR-FET 可以正常运行。  
请检查 SR FET 的散热程度。
检查 输出电压为0V 时预负载消耗的电流大小。  它可能比您的3A 设置高得多。
对于测试、请尝试使用实际的大功率电阻器作为预载。   30V/1.5A = 20 Ω、45W。   

检查转换器上是否存在软启动、这会限制启动期间的 Iout、从而使克服预载所需的时间更长。  
如有必要、请考虑在 SR-FET 漏源极之间添加一个外部二极管、以旁路体二极管电流、直到 SR 控制器通电。  

此致、
Ulrich

您好、Hkul、

是的、我现在看到了波形、非常感谢。  
正如您可能已经看到的、在启动时、在4A 负载下、二极管上的峰值反向电压显示为高达212V。
我认为峰值电压 实际上可能 高于 212V 有两个原因：
   1、您已启用带宽限制、因此部分峰值可能会被滤除、和
    图2显示示波器采样率太低、无法始终捕获全部峰值。  
如果可能、我建议消除 BW 限制并将采样率增加到4~8ns/point。

尽管如此、200V MOSFET 显然面临周期性过压应力的危险、而200V 二极管对于某些过压的耐受能力比 MOSFET 强、或者也会发生故障。

通常、初级侧开关导通时的峰值电压是由于次级绕组泄漏电感与整流器电容(二极管或 SR FET)的振铃造成的。  当初级侧打开时、次级侧上的上升电压会对整流器的电容充电。 该充电会将一些电流累积到次级漏电感中、然后该电感与整流器电容发生环状。
SR FET 可能具有更高 的非线性输出电容、二极管结电容和电压振铃可能高于反射绕组电压的2倍。   

正如我所看到的、您的备选方案是：
  选择 额定电压更高的 MOSFET、
  2. 在 MOSFET 上添加 TVS 钳位以钳制低于200V 的峰值电压、或
  3. 在 MOSFET 上添加 R-C 缓冲器以吸收部分能量，从而将峰值电压限制在200V 以下。  
每种选择都有利弊权衡。
额定功率更高的 MOSFET 没有额外的器件、但 RDS (on)可能更高或成本更高。
TVS 钳位是一个额外的部件、需要额外的成本、但仅会在其钳位电压以上耗散尖峰能量。  
R-C 缓冲器比 TVS 便宜、但功耗始终较低、因此效率较低。

我建议调查每个选项、并确定哪一个是最适合您的应用的解决方案。

此致、
Ulrich

您好、Hkul、

好的、祝您调查顺利。
请记住我建议的示波器带宽和采样率设置、以便进行精确的波形评估。

此致、
Ulrich